| 主权项 |
1.一种在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其构造包括:一基底;一P型井,该P型井位于该基底中;一N型井,该N型井位于该P型井中且浮接断路;一第一P型作用区,该第一P型作用区具有连接端,且该第一P型作用区位于该P型井中并间隔相邻于该N型井;一第二P型作用区,该第二P型作用区具有连接端,且该第二P型作用区位于该N型井中,其中该第二P型作用区之连接端与该第一P型作用区之连接端耦接;以及一第三P型作用区,该第三P型作用区具有连接端,且该第三P型作用区位于该N型井中并以一预定距离间隔相邻于该第二P型作用区。2.如申请专利范围第1项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该基底具有一N型离子以及一P型离子中,两者择一。3.如申请专利范围第1项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该N型井为一高压制程元件之一部份。4.如申请专利范围第1项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该预定距离约为5至30m。5.一种在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其构造包括:一基底;一第一P型井,该第一P型井位于该基底中;一N型井,该N型井位于该第一P型井中且浮接断路;一第二P型井,该第二P型井位于该第一P型井中,并以一第一预定距离间隔相邻于该N型井;一第一P型作用区,该第一P型作用区具有连接端,且该第一P型作用区位于该第二P型井中;以及一第二P型作用区,该第二P型作用区具有连接端,且该第二P型作用区位于该N型井中,并以一第二预定距离间隔于该第一P型井。6.如申请专利范围第5项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影导电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该基底具有一N型离子以及一P型离子中,两者择一。7.如申请专利范围第5项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该第二P型井为一高压制程P型元件双扩散汲极。8.如申请专利范围第5项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该N型井为一高压制程N型元件双扩散汲极。9.如申请专利范围第5项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该第一预定距离约为1至5m。10.如申请专利范围第5项所述之在正常超射∕低射讯号下不会影响电路工作特性的静电放电保护电路元件,其中该第二预定距离约为2至8m。图式简单说明:第1图绘示的是使用习知静电放电保护电路元件之静电放电保护电路之简单电路图;第2图绘示的是根据本发明较佳实施例之静电放电保护电路元件之结构图;第3图绘示的是根据本发明较佳实施例之静电放电保护电路元件之静电放电临界电压特性表;第4图绘示的是根据本发明较佳实施例之另一静电放电保护电路元件之结构图;第5图绘示的是根据本发明较佳实施例之另一静电放电保护电路元件之静电放电临界电压特性表;以及第6图绘示的是以阴极环状围绕于阳极方式制程之静电放电保护电路元件之结构图。 |
