| 主权项 |
1.一种聚合物栓栅阵列,具有:-在电绝缘的基片(S)的上侧(O1)上的第一走线层(V1),-基片(S)的上侧(O1)与下侧(U)之间的敷镀金属的敷镀通孔(D),-在基片(S)的上侧(O1)上的压铸的电绝缘基片层(SL),-基片(S)的下侧扁平安排的,并且在压铸基片层(SL)时穿过敷镀通孔(D)同时形成的聚合物凸起(PS),-在基片层(SL)的上侧(O2)上的第二走线层(V2),-在第一走线层(V1)与第二走线层(V2)之间的敷镀盲孔(SD),及-在聚合物凸起(PS)上构成的外接引线(AA),所述的外接引线(AA)与所属的敷镀金属敷镀通孔(D)导电连接。2.如申请专利范围第1项之聚合物栓栅阵列,其中敷镀盲孔(SD)的盲孔(SAC)构成漏斗形并且是在压铸基片层(SL)的同时形成。3.如申请专利范围第1项之聚合物栓栅阵列,其中基片(S)用刚性的电路板材料构成。4.如申请专利范围第1或2项之聚合物栓栅阵列,其中基片(S)用桡性的薄膜构成。5.一种聚合物栓栅阵列的制造方法,具有以下的步骤:-在电绝缘的基片(S)的上侧(O1)上制造第一走线层(V1)并且在基片(S)的上侧(01)和下侧(U)之间制造敷镀金属的敷镀通孔(D),-通过压铸在基片(S)的上侧(O1)上设置电绝缘的基片层(SL),其中基片层(SL)的透过敷镀通孔(D)然后在基片(S)的下侧(U)构成整体形成的聚合物凸起(PS),-在具有通往第一走线层(V1)的敷镀盲孔(SD)的基片层(SL)的上侧上制造第二走线层(V2),-在聚合物凸起(PS)上制造外接引线(AA),所述外接引线与所属的敷镀金属的敷镀通孔(D)导电连接。6.如申请专利范围第5项之制造方法,其中敷镀盲孔(SD)的盲孔(SAC)构成漏斗形并且在压铸基片层(SL)的同时形成。7.如申请专利范围第5或6项之制造方法,其中采用刚性的电路板材料作基片(S)。8.如申请专利范围第5或6项之制造方法,其中采用可桡性的薄膜作基片(S)9.如申请专利范围第5项之制造方法,其中通过镭射成型制造第一走线层(V1)。10.如申请专利范围第5或6项之制造方法,其中在压铸基片层(SL)和聚合物凸起(PS)之后,包括以后的敷镀盲孔(SD)的盲孔(SAC)在内的整个形成物全面地敷镀金属。11.如申请专利范围第5或6项之制造方法,其中通过在基片层(SL)的上侧(O2)上对敷镀金属镭射成型制造第二走线层(V2)。12.如申请专利范围第10项之制造方法,其中通过在基片(S)的下侧(U)对敷镀金属(M2)成型制造外接引线(AA)。图式简单说明:图1经过设入敷镀通孔后的基片截面图,图2制造通孔和第一走线层之后图1所示的基片,图3通过压铸制造上侧的基片层和下侧的聚合物凸起之后的图2所示的基片,图4全表面敷镀金属之后图3所示的形成物,及图5在上侧造型第二走线层和在聚合物上造型外接引线之后图4所示的形成物。 |
