| 主权项 |
1.一种雷射钻孔加强散热式晶片嵌入朝下球形阵列载板之制造方法,包括:提供一第一基板,该第一基板上下表面预先形成一第二金属层与一第三金属层,以形成内层线路;再以一乾膜影像转移之方式,蚀刻该第二金属层形成一第二金属层线路,并开雷射光罩于该第三金属层上形成一复数个第三雷射光罩开口;压合一第二基板,于该第二金属层线路表面上压合一第二基板,并于该第二基板上形成一第一金属层,以形成外层线路;雷射钻孔形成第三通孔,系以雷射钻孔方式于该第三金属层至该第二金属层间形成一复数个第三通孔,或于该第三金属层至该第一金属层间形成一复数个第三通孔;并于该第三通孔中镀金属材料后,接着以一乾膜影像转移之方式蚀刻该第三金属层形成一第三金属层线路;压合一第三基板,于该第三金属层线路表面压合一第三基板,且该第三基板中系具有一个或一个以上之金属补强片(Stiffener)构造,该金属补强片材料可为一铜(Cu)、铝(Al)或其它合金,以提供支撑板弯,板翘及提高散热功率的设计运用,再以一乾膜影像转移之方式开雷射光罩于该第一金属层上形成一复数个第一雷射光罩开口;雷射钻孔形成第一通孔,系以雷射钻孔方式于该第一金属层至该第二金属层间形成一复数个第一通孔,并于该第一通孔中镀金属材料后,接着以一乾膜影像转移之方式于该第一金属层上电镀镍金,接着对该第一金属层进行线路蚀刻,形成一第一金属层线路;形成一防焊阻剂,系以一印刷喷涂(Spray Coating)或滚轮涂布(Ro11er Coating)等方式,将该防焊阻剂形成于该第一金属层线路表面,且将该第一、第二与第三基板切孔形成一晶片嵌入区域,并压合一散热片(Heat Sink)于该第三基板之一侧,作为散热之用。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一基板材料,系可为一Bismaleimide Triazine(BT)介电材料或为其它之有机材料甚至可为无机之陶瓷材料,厚度约为60-300m,且该第二金属层与该第三金属层之材料可为铜(Cu),厚度约为12m。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中蚀刻该第二金属层前,可将该第二金属层与该第三金属层作一薄化处理,薄化之厚度约为9m。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该第二金属层线路后,可再加入一黑氧化步骤,将该第二金属层线路表面黑氧化(Black Oxide),形成一第二黑氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二基板可为一树脂层,其厚度约为50-100m。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二基板上之该第一金属层材料可为铜(Cu),厚度约为9m。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第三通孔与该第一通孔中镀金属材料可为铜(Cu),厚度约为15m。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该第一金属层线路后,可再施予一黑氧化步骤,将该第一金属层线路表面黑氧化(BlackOxide),形成一第一黑氧化层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第三基板材料,系可为一Bismaleimide Triazine(BT)介电材料或为其它之有机热压黏合材料。10.一种雷射钻孔加强散热式晶片嵌入朝下球形阵列载板结构,包括:一第一基板,该第一基板上下表面具有一第二金属层线路与一第三金属层线路,以形成内层线路;一第二基板,该第二基板形成于该第二金属层线路表面,并于该第二基板上形成一第一金属层线路,以形成外层线路;一复数个第三通孔,系以雷射钻孔方式于该第三金属层线路至该第二金属层线路间形成,或于该第三金属层线路至该第一金属层线路间形成;且该第三通孔中镀金属材料;一第三基板,该第三基板形成于该第三金属层线路表面,且该第三基板中系具有一个或一个以上之金属补强片(Stiffener)构造,其中该金属补强片材料可为一铜(Cu)、铝(A1)或其它合金,以提供支撑板弯,板翘及提高散热功率的设计运用;一复数个第一通孔,系以雷射钻孔方式于该第一金属层线路至该第二金属层线路间形成,且该第一通孔中镀金属材料,该第一金属层线路上电镀镍金;一防焊阻剂,该防焊阻剂系以印刷喷涂(SprayCoating)或滚轮涂布(Roller Coating)方式,形成于该第一金属层线路表面,并且该第一、第二与第三基板切孔形成一晶片嵌入区域,且具有一散热片(Heat Sink)于该第三基板之一侧。11.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一基板材料,系可为一Bismaleimide Triazine(BT)介电材料或为其它之有机材料甚至可为无机之陶瓷材料,厚度约为60-300m,且该第二金属层与该第三金属层之材料可为铜(Cu),厚度约为12m。12.如申请专利范围第11项所述之结构,其中可将该第二金属层与该第三金属层作一薄化处理,薄化之厚度约为9m。13.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一金属层与该第二金属层线路表面可形成一第二黑氧化层,系利用一黑氧化步骤,将该第二金属层线路表面黑氧化(BlackOxide),形成一第二黑氧化层。14.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第二基板可为一树脂层,其厚度约为50-100m。15.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第二基板上之该第一金属层材料可为铜(Cu),厚度约为9m。16.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第三通孔与该第一通孔中镀金属材料可为铜(Cu),厚度约为15m。17.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第三基板材料,系可为一Bismaleimide Triazine(BT)介电材料或为其它之有机热压黏合材料。图式简单说明:第一(A)图-第一(T)图为本发明提供之一种雷射钻孔加强散热式晶片嵌入朝下球形阵列载板之制造方法示意图第二图为本发明提供之一种雷射钻孔加强散热式晶片嵌入朝下球形阵列载板结构示意图第三图为习知双面板之IC热阻抗(Thermal Resistance)与本发明实施例之比较示意图第四图为本发明提供之一种线路布局系以无电镀导线(Bussless)设计之制造方法第五(A)图-第五(D)图为本发明之一种线路布局系以无电镀导线(Bussless)设计制作导通孔之布局方式,可为完全对称,堆叠性式,逐层增设式等变化运用示意图 |
