| 主权项 |
1.一种氮化唯读记忆体的结构,该结构至少包括:一闸介电复层位于一基底上;共形之一氧化矽层位于该闸介电复层之表面;二位元线氧化层位于该闸介电复层之两侧该基底中;二源极/汲极分别位于该些位元线氧化层下方之两侧该基底中;以及一闸极跨越该闸介电复层与该二位元线氧化层之上。2.如申请专利范围第1项所述之氮化唯读记忆体的结构,其中该闸介电复层系由一底氧化层、一氮化矽层与一顶氧化层所组成。3.如申请专利范围第1项所述之氮化唯读记忆体的结构,其中该氧化矽层系以化学气相沈积法所形成之氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之氮化唯读记忆体的结构,其中该氧化矽层包括一高温氧化层。5.一种氮化唯读记忆体的制造方法,该方法至少包括:形成一底氧化层于一基底上;形成一氮化矽层于该氧化矽层上;形成一顶氧化层于该氮化矽层上;图案化该顶氧化层、该氮化矽层与该底氧化层,以形成一闸介电复层;以该闸介电复层为罩幕,植入离子于该基底中,以形成二源极/汲极于该闸介电复层之两侧该基底中;沈积共形之一氧化矽层于该闸介电复层与该些源极/汲极上;进行热氧化法以氧化未被该闸介电复层所覆盖之该基底的表面以形成复数个位元线氧化层;形成一导电层于该基底上;以及图案化该导电层以形成一闸极跨越该闸介电复层与该些源极/汲极上。6.如申请专利范围第5项所述之氮化唯读记忆体的制造方法,其中形成该氧化矽层之方法包括化学气相沈积法。7.如申请专利范围第6项所述之氮化唯读记忆体的制造方法,其中该化学气相沈积法所用之反应气体包括四乙氧基矽酸盐与氧气。8.如申请专利范围第6项所述之氮化唯读记忆体的制造方法,其中该化学气相沈积法所用之反应气体包括二氯矽甲烷与一氧化二氮。9.如申请专利范围第5项所述之氮化唯读记忆体的制造方法,其中该导电层包括以化学气相沈积法所形成之一多晶矽层。10.如申请专利范围第5项所述之氮化唯读记忆体的制造方法,其中该导电层包括以化学气相沈积法所形成之多晶矽化金属。图式简单说明:第1A-1E图是依照本发明一较佳实施例的一种氮化唯读记忆体的制造流程剖面图。 |
