| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之电平移动电路,其中成为电平移动电路构成要素之电晶体半导体,系由多晶矽薄膜形成。3.如申请专利范围第1项之电平移动电路,其中成为电平移动电路构成要素之电阻,系由多晶矽薄膜形成。4.如申请专利范围第3项之电平移动电路,其中上述电阻系以对原料加以掺杂之多晶矽薄膜形成。5.如申请专利范围第3项之电平移动电路,其中上述电阻系以对原料加以掺杂之多晶矽薄膜形成。6.如申请专利范围第2或3项之电平移动电路,其中由上述分压机构抽出之第3电压,设定于上述电晶体之临限値设计値之驱动界限范围内。7.如申请专利范围第2或3项之电平移动电路,其中由上述分压机构抽出之第3电压,设定于上述电晶体之临限値设计値之驱动界限中间値。8.如申请专利范围第6项之电平移动电路,其中上述分压机构之电阻値总和,在电平移动电路之可动作频率范围内,设定为更大値。9.如申请专利范围第7项之电平移动电路,其中上述分压机构之电阻値总和,在电平移动电路之可动作频率范围内,设定为更大値。10.一种图像显示装置,其特征为主动矩阵型进行显示之像素系设置为矩阵型,而资料信号驱动电路及扫描信号驱动电路具有电平移动电路,包含:电平移动机构,输入有输入信号、及使该输入信号之高/低反相之反相输入信号,并连接于高电源电压之第1电压及低电源电压之第2电压,依输入信号及反相输入信号之高/低,转换第1电压及第2电压输出;反相输入信号生成机构,输入有第3电压,其系供给上述输入信号、上述第1电压及第2电压中之任何一方,及上述反相输入信号之低电平或高电平之输出电平,并依上述输入信号之高/低,转换输出电压电平,以形成使上述输入信号反相之反相输入信号;及分压机构,于上述第1及第2电压间,分压以抽出上述第3电压;其中上述分压机构,具有串联连接于上述第1及第2电压间之P通道电晶体,输入信号并连接于各P通道电晶体之闸极。11.如申请专利范围第10项之图像显示装置,其中成为电平移动电路构成要素之电晶体半导体,系由多晶矽薄膜形成。12.如申请专利范围第11项之图像显示装置,其中由上述分压机构抽出之第3电压,设定于上述电晶体之临限値设计値之驱动界限中间値。图式简单说明:图1系本发明之一实施形态,电平移动电路构造电路图。图2(a)、(b)系以电晶体构成上述电平移动电路时之构造例电路图,图2(a)系用NMOS电晶体之例,图2(b)系用PMOS电晶体之例。图3(a)、(b)系以电晶体构成上述电平移动电路分压部时之其他构造例电路图,图3a)系用NMOS电晶体之例,图3(b)系用PMOS电晶体之例。图4系以电晶体构成上述电平移动电路分压部时之另一其他构造例电路图。图5系本发明有关之电平移动电路变形例,为实施低电平移动之电平移动电路构造电路图。图6(a)、(b)系PMOS电晶体之多晶矽电晶体之临限値-分压电位关系曲线图,图6(a)系于VLL(低电平)与VLL+5V(高电平)间转换闸电压输入之情形,图6(b)系于VLL(低电平)与VLL+6V(高电平)间转换闸电压输入之情形。图7系(a)、(b)系NMOS电晶体之多晶矽电晶体之临限値-分压电位关系曲线图,图7(a)系于VHH(高电平)与VHH-5V(低电平)间转换闸电压输入之情形,图7(b)系于VHH(高电平)与VHH-6V(低电平)间转换闸电压输入之情形。图8系分压部之电阻总电阻値(分压电阻値)与电平移动电路之动作频率之关系曲线图。图9系用上述电平移动电路之图像显示装置构造例说明图。图10系先前之电平移动电路构造电路图。图11系先前之电平移动电路构造电路图。 |
