| 主权项 |
1.一种晶片型带通滤波器,具有复数层结构,由上至下依序包括:一第一接地层,具有一基底及一第一接地金属片,该第一接地金属片形成于该基底之一表面上;一第一电容层,具有一基底、一第一金属电极片及一第二金属电极片,第一金属电极片及第二金属电极片形成于该基底之一表面上;一第二电容层,具有一基底、一第三金属电极片及一第四金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上,该第三金属电极片与该第一金属电极片电气连接,该第四金属电极片与该第二金属电极片电气连接;一第三电容层,具有一基底、一第五金属电极片及一第六金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上;一第四电容层,具有一基底、一第七金属电极片及一第八金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上,该第七金属电极片与该第三金属电极片电气连接,该第八金属电极片与该第四金属电极片电气连接;一第二接地层,具有一基底及一第二接地金属片,该第二接地金属片形成于该基底之一表面上;一耦合传输线层,具有一基底及二耦合传输金属片,二耦合传输金属片形成于该基底之一表面上,二耦合传输金属片互相形成耦合,其中第一耦合传输金属片与第五金属电极片电气连接,第二耦合传输金属片与第六金属电极片电气连接;及一第三接地层,具有一基底及一第三接地金属片,该第三接地金属片形成于该第三接地层之该基底之一表面上,该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片电气连接。2.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括:复数个侧面电极片,用以作为该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片之电气连接;以及二耦合传输金属片与该等接地金属片电气连接。3.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括:复数个穿孔连接金属片,用以作为该等电容层间之该等金属电极片间之电气连接;以及二耦合传输金属片用以与该等金属电极片电气连接。4.如申请专利范围第1项之带通滤波器,该第二金属电极片具有一第二输出入埠区域及一耦合区域,该第三金属电极片具有一第一输出入埠区域及一耦合区域。5.如申请专利范围第4项之带通滤波器,另包括一带线层,形成于该第一接地层之上,该带线层具有一基底、一第一带线及一第二带线,其中第一带线连接至该第一输出入埠区域,该第二带线连接至该第二输出入埠区域。6.一种晶片型带通滤波器,具有复数层结构,由上至下依序包括:一第一接地层,具有一基底及一第一接地金属片,该第一接地金属片形成于该基底之一表面上;一第一电容层,具有一基底及一第一金属电极片,该第一金属电极片形成于该基底之一表面上;一第二电容层,具有一基底、一第二金属电极片及一第三金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上;一第三电容层,具有一基底、一第四金属电极片及一第五金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上,该第四金属电极片与该第一金属电极片电气连接;一第四电容层,具有一基底及一第六金属电极片,二金属电极片形成于该基底之一表面上,该第六金属电极片与该第三金属电极片电气连接;一第二接地层,具有一基底及一第二接地金属片,该第二接地金属片形成于该基底之一表面上;一耦合传输线层,具有一基底及二耦合传输金属片,二耦合传输金属片形成于该基底之一表面上,二耦合传输金属片互相形成耦合,其中第一耦合传输金属片与第二金属电极片电气连接,第二耦合传输金属片与第五金属电极片电气连接;及一第三接地层,具有一基底及一第三接地金属片,该第三接地金属片形成于该第三接地层之该基底之一表面上,该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片电气连接。7.如申请专利范围第6项之带通滤波器,另包括:复数个侧面电极片,用以作为该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片之电气连接;以及二耦合传输金属片用以与该等接地金属片之电气连接。8.如申请专利范围第6项之带通滤波器,乃包括:复数个穿孔连接金属片,用以作为该等电容层间之该等金属电极片间之电气连接;以及二耦合传输金属片用以与该等金属电极片之电气连接。9.如申请专利范围第6项之带通滤波器,其中该第一金属电极片具有一第一输出入埠区域及一耦合区域,该第三金属电极片具有一第二输出入埠区域及一耦合区域。图式简单说明:图1为本发明第一实施例之带通滤波器之立体分解图;图2为本发明第二实施例之带通滤波器之立体分解图;图3为本发明之带通滤波器之等效电路图;图4为本发明之带通滤波器之电磁模拟结果图;图5为本发明第三实施例之带通滤波器之立体分解图;图6为本发明之第三实施例之等效电路图;及图7为本发明之第三实施例之电磁模拟结果图。 |
