| 主权项 |
1.一种已结构化之层之制造方法,特别是已结构化之导电层之制造方法,其特征为以下步骤:a)制备一种基板,其具有至少一个目标区和至少一个移动区;b)施加一种层材料;c)进行一种热处理,使此种层材料由该移动区移动至目标区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤b)中施加此种层材料作为一种薄层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中此薄层之厚度小于100nm,较佳是小于50nm。4.如申请专利范围第1项之方法,其中此热处理是在温度大于550℃(较佳是大于600℃)时进行。5.如申请专利范围第1或第4项之方法,其中此热处理是在氧-、氮-或氩大气中进行。6.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中此层材料是藉由溅镀而沈积在整面上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该溅镀温度较500℃还高。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该移动区含有SiO2.Si3N4.Al2O3.AlN、BN、MgO、La2O3.LaN、Y2O3.YN、Sc2O3.ScN、TiO2.Ta2O3或镧系元素之氧化物。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该目标区含有Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其导电性氧化物或矽化物(silicid)、Cu、Ag、Au、Ni、Si或一种过渡金属或这些过渡金属之矽化物。10.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用4d和5d过渡金属(特别是铂族金属)之一种金属(特别是铂或铼)作为层材料。11.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤c)之前Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN、Bi、BiOx、Ir、IrOx、IrHfOx、Ru、RuOx、Pd及/或PdOx添加至此种层材料中。12.如申请专利范围第11项之方法,其中Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN、Bi、BiOx、Ir、IrOx、IrHfOx、Ru、RuOx、Pd及/或PdOx添加至此种层材料中,其过程是在层材料上施加一层含有上述材料之层且进行一种温度处理,使这些材料扩散至此层材料中。13.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤a)中进行下述步骤以便制备基板,此基板具有至少一个目标区及至少一个移动区:-以移动区之材料制备一种基板;-施加该目标区之材料;-使目标区之材料被结构化,以便产生至少一个目标区及至少一个移动区。14.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤a)中进行下述步骤以便制备基板,此基板具有至少一个目标区及至少一个移动区:-制备一种基板;-施加该目标区之材料;-使目标区之材料被结构化;-施加此移动区之材料;-进行一种整平步骤,以便产生至少一个目标区及至少一个移动区。15.如申请专利范围第13或14项之方法,其中以层之方式沈积此目标区之材料。16.如申请专利范围第15项之方法,其中利用一种硬遮罩使目标区之材料被结构化。17.如申请专利范围第13或14项之方法,其中以层之方式沈积此移动区之材料。18.如申请专利范围第14项之方法,其中进行一种CMP步骤以作为整平用之步骤。19.如申请专利范围第1或2项之方法,其中重复步骤b)和c),以便产生一种预定厚度之已结构化之层。20.一种电极,其特征为:此电极配置在基板之目标区上,目标区由一移动区所围绕。21.如申请专利范围第20项之电极,其中移动区含有SiO2.Si3N4.Al2O3.AlN、BN、MgO、La2O3.LaN、Y2O3.YN、Sc2O3.ScN、TiO2.Ta2O3或镧系元素之氧化物。22.如申请专利范围第20或21项之电极,其中该目标区含有Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其导电性氧化物或矽化物(silicid)、Cu、Ag、Au、Ni、Si或一种过渡金属或这些过渡金属之矽化物。23.如申请专利范围第20项之电极,其中使用4d和5d过渡金属(特别是铂族金属)之一种金属(特别是铂或铼)作为层材料。24.如申请专利范围第23项之电极,其中此电极另含有Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN、Bi、BiOx、Ir、IrOx、IrHfOx、Ru、RuOx、Pd及/或PdOx。25.如申请专利范围第20,23或24项之电极,其中此电极是记忆电容器之电极。图式简单说明:第1至8图本发明之已结构化之层之第一种制造方法。第9.10图本发明之已结构化之层之第二种制造方法。第11至16图本发明之已结构化之层之第三种制造方法。第17图本发明之已结构化之层之第四种制造方法。 |
