移除由形成贯穿孔〈via〉过程造成之蚀刻残余物的方法

摘要

由用于形成贯穿孔(via)之制程所造成的蚀刻残余物，使用不需要使用液态化学溶剂并且不造成在贯穿孔中过多电荷累积的制程来移除。一个步骤是使用氟化碳及氧。这些气体由微波及射频(RF)两者供给能量。另一个步骤是在其他两个气体之外导入氩气，也以微波及RF供给能量。这具有移除趋向于黏着在介层上方表面之任何额外残余物的效果，并且完成在介层中之蚀刻残余物的移除。额外的步骤是简单地使用去离子水来移除任何所余之高度可溶于水的氟化残余物，其为进行两个步骤的结果。

主权项

1.一种移除经由绝缘物质形成贯穿孔(via)过程造成之蚀刻残余物的方法,包含的步骤是对蚀刻残余物及贯穿孔使用气体,其中该气体是以射频(RF)源供给能量,并且包含氟化碳及氧。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该氟化碳为CF4。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该CF4对氧的比率是低于约0.02。4.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含至少气体的一部分是以微波源供给能量。5.一种移除在积体电路中形成贯穿孔过程所造成之蚀刻残余物的方法,该方法包含:提出一个有夹盘的反应室;将积体电路置于该室中与夹盘接触;使用在第一功率程度的RF功率到该室;并且导入以经微波供给能量之包含氟化碳及氧的气体到该室中。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该氟化碳为CF4。7.如申请专利范围第5项之方法,其中进一步包含去离子水洗涤。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该夹盘在超过室温的温度下。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在超过室温之温度下的该夹盘进一步被定义为摄氏45至100度。10.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含导入经微波供给能量之惰性气体。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该惰性气体为氩气。12.一种移除在积体电路中形成贯穿孔过程所造成之蚀刻残余物的方法,该方法包含:提出一个有夹盘的反应室;将积体电路置于该室中的夹盘上;以RF供给能量到该夹盘;导入第一微波供给能量气体到该室中,该气体包含含有氟及碳之第一化合物的第一气体、及含有氧之第二气体的气体;并且在导入第一微波供给能量气体到该室中后,导入第二微波供给能量气体到该室中,该气体包含含有氟及碳之第二化合物的第三气体、含有氧之第四气体、及含有惰性气体之第五气体。13.如申请专利范围第12项之方法,其中第一及第二化合物包含CF4。14.如申请专利范围第12项之方法,其中第一化合物为CF4及第二化合物为C2F6。图式简单说明:图1显示用来制造本发明之装置;图2显示根据习知技艺之积体电路一部份的剖面;图3显示在根据本发明后续加工后之图2积体电路一部份的剖面;图4显示在根据本发明后续加工后之图3积体电路一部份的剖面;图5显示在根据本发明后续加工后之图4积体电路一部份的剖面;及图6显示在根据本发明加工后之另一个剖面。