发明名称 化学机械研磨制程时间之决定方法
摘要 一种化学机械研磨制程时间之决定方法,其步骤包括首先以化学机械研磨对控片进行研磨,并记录该控片去除之研磨厚度与研磨时间之关系;再对晶片进行化学机械研磨,所去除之研磨厚度为H1,研磨时间为T1,其中H1必须小于实际所要去除之研磨厚度H,并且将晶片表面大部分之不平坦区域磨除,使得该晶片变得较平坦而具有类似控片之研磨特性;依据控片之研磨厚度与研磨时间之关系,推算控片在研磨时间T1的情况下所去除之研磨厚度H1';将晶片尚未去除之研磨厚度H2=(H-H1)视为控片,并将控片之研磨厚度H'=(H2+H1')做为晶片之研磨厚度H之当量值;最后再依据控片之研磨厚度与研磨时间之关系以及晶片之研磨厚度H之当量值,决定晶片去除研磨厚度H所需要之研磨时间。
申请公布号 TW523826 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW091104999 申请日期 2002.03.15
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 林俊德;刘盛安;吴宗儒;吕明宪
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 李长铭 台北市中山区南京东路二段二十一巷八号二楼;翁仁滉 台北市中山区南京东路二段二十一巷八号二楼
主权项 1.一种化学机械研磨制程时间之决定方法,系用以决定去除晶片研磨厚度H所需之时间,该晶片表面具有不平坦区域,其步骤包括:a.以化学机械研磨对控片进行研磨,并记录该控片之研磨厚度与研磨时间之关系;b.对晶片进行化学机械研磨,所去除之研磨厚度为H1,研磨时间为T1,其中H1必须小于实际所要去除之研磨厚度H,并且将晶片表面大部分之不平坦区域磨除,使得该晶片变得较平坦而具有类似控片之特性;c.依据步骤a之研磨厚度与研磨时间之关系,推算控片在研磨时间T1的情况下所去除之研磨厚度H1';d.将晶片尚未去除之研磨厚度H2=(H-H1)视为控片,并将控片之研磨厚度H'=(H2+H1')当做晶片之研磨厚度H之当量値;及e.依据步骤a之研磨厚度与研磨时间之关系以及步骤d之当量値,决定晶片去除研磨厚度H所需要之研磨时间。2.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程时间之决定方法,其中上述晶片与控片所研磨之材质系为相同。3.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程时间之决定方法,其中上述晶片与控片所研磨之材质若不相同,必须利用当量转换原理使二者材质转换成相同。4.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程时间之决定方法,其中步骤b之研磨时间T1的决定方式系依据步骤a之关系中,控片去除研磨厚度为1/2H所需要之研磨时间。5.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程时间之决定方法,其中上述晶片与控片所研磨之材质系为氧化层、氮化物层或金属层。6.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程时间之决定方法,其中当量转换原理系将不同研磨速率之材质转换成相同研磨速率之材质。图式简单说明:图一系为习知技艺中进行层间介电层之化学机械研磨制程的示意图;图二系为控片之研磨厚度与研磨时间之关系图;图三系为晶片去除H1研磨厚度之示意图;图四系为晶片以当量转换原理转换成控片之研磨厚度示意图;图五系为不同材质之间进行当量转换之示意图。
地址 新竹科学工业园区力行路十九号