| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,包含以下步骤:(a)在矽层的表面上形成热氧化物膜;(b)移除热氧化物膜;及(c)在已造成的矽层表面上形成矽化物膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中矽层担任金氧半电晶体的源极/汲极区域。3.如申请专利范围第1项之方法,其中矽层是遭受氟化碳和/或碳化矽污染及/或损坏的层。4.如申请专利范围第2项之方法,其中热氧化物膜具有满足Y1<Y2/X的厚度,其中Y1是热氧化物膜的厚度,Y2是源极/汲极区域的接合面深度,而X是矽层膜消耗的厚度对热氧化物膜的厚度之比。5.如申请专利范围第4项之方法,在其中热氧化物膜的厚度是5nm或更大。6.如申请专利范围第2项之方法,在其中矽化物膜的厚度小于源极/汲极区域的接合面深度。图式简单说明:图1(a)至(e)是剖面视图,用于显示根据本发明的具体实施例之制造半导体装置的步骤;图2是显示本发明的半导体装置对减少片电阻所产生的影响;图3是剖面视图,显示形成氧化矽之制造步骤期间之本发明的半导体装置;及图4(a)至(d)是剖面视图,显示根据习知技艺之制造半导体装置的步骤。 |
