| 主权项 |
1.一种增进一感测放大器速度及稳定性之电路,该感测放大器含有一传输电晶体具有一输入端及一输出端,该输出端耦合一感测节点,该输入端耦合一资料节点以连接一资料线,俾感测一记忆胞元之记忆状态,而从该感测节点经一输出级送出一资料信号,该电路包括:第一电流镜,含有第一及第二分支,以从该第一分支镜射一中介电流在该第二分支,该第一分支与该资料节点之间插入一补偿电流装置,受控于第一控制信号而导通一补偿电流;第二电流镜,含有第三及第四分支,该第四分支耦合该感测节点,该第三分支因应该中介电流而镜射一漏电流在该第四分支;及一充电电流装置耦合该感测节点,并受控于第二控制信号之反相输入而导通一充电电流。2.如申请专利范围第1项之电路,其中该第一控制信号系电源电压。3.如申请专利范围第1项之电路,其中该第一电流镜具有一镜射比为1比1至3比4。4.如申请专利范围第1项之电路,其中该第二电流镜具有一镜射比为1比1。5.如申请专利范围第1项之电路,其中该补偿电流对该漏电流比为1比1至3比4。6.如申请专利范围第1项之电路,更包括一放电电流装置插入该资料节点与该第一电流镜之第一分支之间,并受控于第三控制信号而导通一放电电流。7.如申请专利范围第6项之电路,其中该第三控制信号为该第二控制信号之互补。8.如申请专利范围第6项之电路,其中该充电电流对该放电电流比为5比1至10比1。9.如申请专利范围第1项之电路,更包括一中介电晶体与该传输电晶体共闸极,且其源极与汲极分别连接该第一电流镜之第二分支与该第二电流镜之第三分支。10.一种增进一感测放大器速度及稳定性之电路,该感测放大器含有一传输电晶体具有一源极与一汲极,该汲极作为一感测节点,该源极作为一资料节点以连接一资料线,俾感测一记忆胞元之记忆状态,而从该感测节点经一输出级送出一记忆信号,该电路包括:第一电晶体,具有一源极、一汲极与一闸极,该汲极连接该资料节点,该闸极连接一偏压信号;第二及第三电晶体组成之第一电流镜,该第二及第三电晶体各具有一源极、一汲极与一闸极,该二源极接地,该二闸极彼此连接,该第二电晶体之汲极连接其闸极以及该第一电晶体之源极;第四电晶体,具有一源极、一汲极与一闸极,该源极连接该第三电晶体之汲极,该闸极连接该传输电晶体之闸极;第五及第六电晶体组成之第二电流镜,该第五及第六电晶体各具有一源极、一汲极与一闸极,该二源极连接一电源电压,该二闸极彼此连接,该第五电晶体之汲极连接其闸极以及该第四电晶体之汲极,该第六电晶体之汲极连接该感测节点;及第七电晶体,具有一源极、一汲极与一闸极,该源极连接电源电压,该汲极连接该感测节点,该闸极连接一预充电信号之互补信号的反相输入。11.如申请专利范围第10项之电路,其中该第二及第三电晶体之大小比为1比1至3比1。12.如申请专利范围第10项之电路,其中该第五及第六电晶体之大小比为1比1。13.如申请专利范围第10项之电路,其中该第二及第六电晶体导通之电流比为1比1至3比1。14.如申请专利范围第10项之电路,更包括第八电晶体,具有一源极、一汲极与一闸极,该汲极连接该资料节点,该闸极连接该预充电信号。15.如申请专利范围第14项之电路,其中该第七及第六电晶体导通之电流比为5比1至10比1。16.一种增进一感测放大器速度及稳定性之方法,该感测放大器含有一传输电晶体具有一输入端及一输出端,该输出端耦合一感测节点,该输入端耦合一资料节点以连接一资料线,俾感测一记忆胞元之记忆状态,而从该感测节点经一输出级送出一资料信号,该方法包括下列步骤:耦合一补偿电流至该资料节点,以维持该传输电晶体不完全关闭及该资料节点不超过一定之电压;镜射该补偿电流,以产生一漏电流耦合该感测节点;及耦合一充电电流至该感测节点。17.如申请专利范围第16项之方法,更包括施予一偏压以操控该补偿电流。18.如申请专利范围第16项之方法,更包括施予一预充电信号之互补信号以操控该充电电流。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该补偿电流对漏电流比为1比1至3比4。20.如申请专利范围第16项之方法,更包括耦合一放电电流至该资料节点。21.如申请专利范围第20项之方法,更包括施予一预充电信号以操控该放电电流。22.如申请专利范围第20项之方法,其中该充电电流对放电电流比为5比1至10比1。23.如申请专利范围第16项之方法,更包括耦合一中介电晶体与该传输电晶体共闸极,以开启或关闭镜射该补偿电流及放电电流之路径。图式简单说明:第一图显示一典型的半导体记忆体电路的基本架构;第二图系第一图中的感测放大器;第三图系第二图中的电路的时序图;第四图系一习知的感测放大器,具有增进稳定性的改良电路;第五图系第四图中的电路的时序图;第六图系一习知的感测放大器,具有增进速度的改良电路;第七图系第六图中的电路的时序图;第八图系本发明的较佳实施例;及第九图系第八图中的电路的时序图。 |
