| 主权项 |
1.一种Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其特征在于:其系在一导电性矽(Si)单结晶基板之表面上,使依序积层由金属或半导体所成之中间层Ⅲ族氮化物半导体所形成的下部接合层、发光层及上部接合层;而该下部接合层、发光层、及上部接合层为pn接合型异接合构造所构成之发光部;该单结晶基板之里面上系备有里面电极、以及发光部的表面上备有表面电极Ⅲ族氮化物半导体发光二极体;其中在上述单结晶基板里面系设有经除去Si单结晶基板所形成之穿孔部,而里面电极系形成在单结晶基板之里面的穿孔部外周上、由连续一体的金属被覆膜所构成。2.如申请专利范围第1项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其中穿孔部之底面系具有上述之中间层。3.如申请专利范围第2项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其中之中间层系具有由含有磷(P)之Ⅲ-V族元素之半导体膜所构成之物件。4.如申请专利范围第2或3项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其中之中间层系具有由MN1-XPX(式中,M系代表硼以外之Ⅲ族元素;X之范围系为0<X≦1)所构成之物件。5.如申请专利范围第2或3项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其中之中间层系具有由BXM1-XP(式中,M系代表硼以外之Ⅲ族元素;X之范围系为0<X≦1)所构成之物件。6.如申请专利范围第5项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体,其中之中间层系具有以Ⅲ族构成元素、或V族构成元素之浓度成坡降来做为组成坡降层之物件。7.一种Ⅲ族氮化物半导体发光二极体之制造方法,其特征在于:其系在导电性Si单结晶基板上设置由低温缓冲层、高温缓冲层所成之中间层;接着在设置由pn接合型异接合构造之下部接合层、发光层及上部接合层所成之发光部之前、或在设置发光部之后,设置将单结晶基板里面予以穿孔成中空筒状之穿孔部;同时在残留的Si单结晶基板里面上设置第1导电型电极,于上部接合层上面设置第2导电型电极。8.如申请专利范围第7项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体之制造方法,其中低温缓冲层系藉MOCVD手段在250-550℃下成长之层,而高温缓冲层系藉MOCVD手段在750-12000℃下成长之层。9.一种Ⅲ族氮化物半导体发光二极体之制造方法,其特征在于:其系在导电性Si单结晶基板上设置由组成坡降层所成之中间层;接着在设置由pn接合型异接合构造之下部接合层、发光层及上部接合层所成之发光部之前、或在设置发光部之后,设置将单结晶基板里面予以穿孔成中空筒状之穿孔部;同时在残留的Si单结晶基板里面上设置第1导电型电极,于上部接合层上面设置第2导电型电极。10.如申请专利范围第7至9项中任一项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体之制造方法,其中导电性Si单结晶基板之面方位系为{111}。11.如申请专利范围第7至9项中任一项之Ⅲ族氮化物半导体发光二极体之制造方法,其系在Si单结晶基板表面面上设置中间层之后,再设置将前述Si单结晶基板里面予以研削成300-80微米厚、接着除去敷设欧姆电极以外部分之单结晶基板所成的穿孔部。图式简单说明:第1图所例示者,系为穿孔部穿孔形状之平面模式图。第2图所例示者,系为穿孔部穿孔形状之平面模式图。第3图所例示者,系为穿孔部穿孔形状之平面模式图。第4图所例示者,系为穿孔部穿孔形状之平面模式图。第5图所示者,系为在实施例1中所记载之LED的断面模式图。第6图所示者,系为在实施例1中所记载之LED里面构造之模式图。第7图所示者,系为在实施例2中所记载之LED的断面模式图。第8图所示者,系为在实施例2中所记载之LED里面构造之模式图。 |
