| 主权项 |
1.一种处理光阻层的方法,该方法至少包含:提供一无机光阻层在一底材上以及一原子层在该无机光阻层上,其中该无机光阻层系用于提供酸分子;照射一紫外光至该无机光阻层使得该无机光阻层形成多数个酸分子;及利用具有活性的氧原子氧化位于照射区域上的该原子层以转化成氧化物在该原子层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述底材至少包含一蚀刻层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述蚀刻层的材料包含一氧化物。4.如申请专利范围第2项之方法,其中上述蚀刻层的材料包含一多晶矽。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述无机光阻层系为一光酸形成层(PAG layer, photo acidgenerator layer)。6.如申请专利范围第1项之方法,更包含在该照射步骤之后形成多数个具有活性的氧原子。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述紫外光至少包含一深紫外光。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述深紫外光的波长约为157奈米(nm,nanometer)。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述原子层的材料包含铝。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述原子层的材料包含铝合金。11.一种改善光学微影解析度的方法,该方法至少包含:提供具有被蚀刻的一蚀刻层的一底材、一无机光阻层在该蚀刻层上以及一原子层在该无机光阻层上;以深紫外光照射至该无机光阻层使得多数个酸分子在照射区上形成,以及同时分解氧气以形成多数个具有活性的氧原子;利用该多数个酸分子催化该原子层;及利用该多数个具有活性的氧原子氧化位于照射区域上的该原子层而转化成氧化物在该原子层上。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述蚀刻层的材料包含一氧化物。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述蚀刻层的材料包含一多晶矽。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述无机光阻层为一光酸形成层。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述原子层的材料包含铝。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述原子层的材料包含铝合金。17.如申请专利范围第11项之方法,其中上述深紫外光的波长约为157奈米(nm,nanometer)。18.一种改善无机光阻层解析度的方法,该方法至少包含:提供具有一氧化层之一底材;旋涂一无机光阻层在该氧化层上;沉积一铝原子层在该无机光阻层上;以深紫外光照射至该无机光阻层使得该无机光阻层在照射的区域上产生多数个酸分子,以及同时分解氧气以形成多数个具有活性的氧原子;利用该多数个酸分子催化该铝原子层;及利用该多数个具有活性的氧原子氧化位于照射区域上的该铝原子层使得该铝原子层转化成氧化物在该铝原子层上。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述氧化层的材料包含多晶矽。20.如申请专利范围第18项之方法,其中上述铝原子层的材料包含铝合金。21.如申请专利范围第18项之方法,其中上述深紫外光波的波长约为157奈米。图式简单说明:第一图系根据本发明所揭露之技术在一底材上依序形成一被蚀刻层、一无机光阻层以及一原子层的结构示意图;第二图系根据本发明所揭露之技术在第一图的结构上覆盖一光罩之结构示意图;第三图系根据本发明所揭露之技术,一紫外光经过光罩照射到无机光阻层之结构示意图;第四图系根据本发明所揭露之技术,由无机光阻层所提供的酸分子以催化在第三图结构中照射的区域的原子层之结构示意图;以及第五图系根据本发明所揭露之技术,在第四图结构中照射的区域进行氧化作用以形成氧化物之结构示意图。 |
