| 主权项 |
1.一种选择的外延成长工程评价用光罩,其被应用来对依照所露出矽的领域的形态,以选择的外延成长工程评价已成长单结晶矽的成长态样;为要在晶圆上的绝缘层形成图样而将晶圆区分成四个领域,其特征在于:在第一领域中具有一电阻量测用之光罩图样,以量测其中已成长之单晶矽表面电阻;在对角于第一领域之第二领域中具有一选择性评价用之光罩图样,以评价其中单晶矽成长之选择性;在第三领域中具有琢面生成评价用之光罩图样群,各具有不同形状,以评价其中已成长之单晶矽之琢面生成;在第四领域上侧部份具有负载效应评价用之光罩图样群,各具有不同形状,藉由负载效应以评价单晶矽之成长;而在第四领域之负载效应评价用之光罩图样群之下侧部份具有一致性评价用之光罩图样,以评价第四领域中负载效应评价用之光罩图样下部之已成长之单晶矽之一致性。2.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之光罩整体呈正方形,而此正方形之一边长为15,000至30,000微米者。3.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中电阻量测用之光罩图样呈正四方块状者。4.如申请专利范围第3项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之正四方块为5,000-8,000微米5,000-8,000微米者。5.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中一致性评价用之光罩图样包括复数个同心环带,其外侧环带之内径较内侧环带者大者。6.如申请专利范围第5项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各同心环带之内径乃同心地向外侧环带之2倍增加者。7.如申请专利范围第5项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中最内部之环带之内径为4至10微米者。8.如申请专利范围第5项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中最外部之环带之内径为不超过10,000微米者。9.如申请专利范围第5项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各环带之宽度乃相等于其及恰在其内侧之环带之间的距离。10.如申请专利范围第5项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各环带之上部具有连贯的编号者。11.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用之光罩图样群包括各呈不同形状之第一至第五光罩图样群者。12.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用之第一光罩图样包括以一预定角度放射状旋转配置之复数个棒状图样者。13.如申请专利范围第12项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中棒状图样之宽度为0.5至10微米,而棒状图样之长度则为1,500至3,000微米者。14.如申请专利范围第12项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之琢面生成评价用光罩图样群之第一光罩图样包括五个宽度比分别为10.5.2.1与0.5微米之棒状图样者。15.如申请专利范围第12项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中棒状图样之旋转角度为15者。16.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用光罩图样群之第二光罩图样包括两个互相垂直之图样,其中每个图样皆系为由一正方形图样、与半圆形图样所组成之长圆形图样者。17.如申请专利范围第16项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之长圆形图样之长度乃宽度之两倍者。18.如申请专利范围第16项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中长圆形图样之一边长为0.5至10微米者。19.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用光罩图样群之第二光罩图样包括五种图样,而每一图样之一边长分别为10.5.2.1与0.5微米者。20.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用光罩图样群之第三光罩图样,其中用以蚀刻之内正方形图样乃被非用以蚀刻之外正方形图样所围绕者。21.如申请专利范围第20项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中内正方形图样之一边长为外正方形图样边长之80%者。22.如申请专利范围第20项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之第三光罩图样包括五种图样,而每一内正方形图样之边长分别为8.4.1.6.0.8与0.6微米者,而每一外正方形图样之边长分别为10.5.2.1与0.5微米者。23.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用之第四光罩图样,其中用以蚀刻之外正方形图样乃被非用以蚀刻之内正方形图样所围绕者。24.如申请专利范围第23项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中外正方形图样之一边长为120微米者。25.如申请专利范围第23项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之第四光罩图样包括五种图样,而每一内正方形图样之一边长分别为10.5.2.1与0.5微米者,而每一外正方形图样之一边长分别为12.6.2.4.1.2与0.6微米者。26.如申请专利范围第11项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用之第五光罩图样,其内之正方形配置有一菱形者。27.如申请专利范围第26项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中菱形之一边长为正方形边长之80%者。28.如申请专利范围第26项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中正方形之一边长为0.5至10微米者。29.如申请专利范围第26项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中琢面生成评价用光罩图样群之第五光罩图样包括五种正方形图样,而每一正方形图样之一边长分别为8.4.1.6.0.8与0.6微米者。30.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之光罩图样群包括各呈不同形状之第一与第二光罩图样群者。31.如申请专利范围第30项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第一光罩图样包括复数个圆形图样,各以相同之距离、数量递增而直径递减排列于同一方向上。32.如申请专利范围第31项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中圆形图样之直径为从0.25微米双倍地倍增至1,500微米。33.如申请专利范围第31项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各圆形图样间之距离为50至150微米者。34.如申请专利范围第31项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第一光罩图样包括直径为16.8.4.2.1.0.5与0.2微米之圆形图样群者。35.如申请专利范围第34项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第一光罩图样包括至少两组圆形图样群者。36.如申请专利范围第30项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第二光罩图样包括复数个棒状图样,各以相同距离、宽度递减、排列于一方向上者。37.如申请专利范围第36项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中棒状图样之宽度为从0.25微米双倍地倍增至1,500微米者。38.如申请专利范围第36项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中棒状图样之长度为1,000至2,000微米者。39.如申请专利范围第36项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各棒状图样间之距离为50至150微米者。40.如申请专利范围第36项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第二光罩图样乃从宽度分别为16.8.4.2.1.0.5与0.2微米之棒状图样群形成者。41.如申请专利范围第40项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中负载效应评价用光罩图样群之第二光罩图样包括至少两组之棒状图样群者。42.如申请专利范围第1项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中之一致性评价用之光罩图样包括复数个棒状图样,各以一定距离排列,具有相同之长度与宽度者。43.如申请专利范围第42项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中棒状图样之宽度为0.2至0.5微米者,而长度则为4,000至8,000微米者。44.如申请专利范围第42项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中各棒状图样间之一定距离为0.2至0.5微米者。45.如申请专利范围第42项所述之选择的外延成长工程评价用光罩,其中一致性评价用之光罩图样之整体宽度为6,000至10,000微米者。图式简单说明:第1图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩之实施例图。第2图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩中,其中之电阻量测用之光罩图样示意图。第3图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩中,其中之选择性评价用之光罩图样示意图。第4A图至第4E图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩中,其中之琢面产生评价用之光罩图样示意图。第5A图与第5B图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩中,其中之负载效应评价用之光罩图样示意图。第6图为本发明之选择的外延成长工程评价用光罩中,其中之一致性评价用之光罩图样示意图。 |
