发明名称 臭氧处理方法及臭氧处理装置
摘要 本发明系关于臭氧处理方法及臭氧处理装置,在半导体基板及液晶基板等之基板表面上吹送臭氧气体,进行氧化膜的形成及其改善、光阻膜去除之处理。此臭氧处理装置1,系具备:载置台20,载置基板K;加热机构,加热载置台20上之基板K;对向板40,与基板K成对向配置,从形成于与基板K之对向面之放出孔44放出臭氧气体;气体供应机构43,供应臭氧气体给放出孔44;昇降机构30,昇降载置台20;及控制机构35,控制昇降机构30的动作。控制机构35,在臭氧气体放出时,使昇降机构30动作,来变化载置台20上之基板K与对向板40间之间隔 g。
申请公布号 TW523820 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW091105252 申请日期 2002.03.18
申请人 住友精密工业股份有限公司 发明人 菊池 辰男;山中 健夫;山口 征隆;金山 登纪子
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种臭氧处理方法,系藉由加热机构来对载置于载置台上之基板加热,并且,从与前述基板对向配置之对向板的放出孔,对着前述基板放出含有臭氧之处理气体,来处理前述基板表面,其特征系:在放出前述处理气体时,使前述载置台上之基板与对向板间之间隔产生变化。2.如申请专利范围第1项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板之间的间隔渐渐变小的方式,来使前述基板与对向板互相接近。3.如申请专利范围第2项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板互相接近之速度渐渐变慢。4.如申请专利范围第3项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板互相接近之速度阶段性地变慢。5.如申请专利范围第1项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板间之间隔产生周期性或非周期性变化的方式,来使前述基板与对向板呈周期性或非周期性的接近/远离。6.如申请专利范围第5项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板互相接近之速度渐渐变慢。7.如申请专利范围第6项之臭氧处理方法,其系使前述基板与对向板互相接近之速度阶段性地变慢。8.一种臭氧处理装置,其特征系具备:载置台,用以载置基板;加热机构,对前述载置台上之基板进行加热;对向板,其与前述载置台上之基板对向配置,并且具有放出口,其开口位在与前述基板之对向面,用来对着前述基板放出含有臭氧之处理气体;气体供应机构,其对前述对向板之放出孔供应放出前述处理气体;昇降机构,其昇降前述载置台及/或对向板,并使前述载置台与对向板互相接近/远离;及控制机构,控制前述昇降机构的动作;前述控制机构,在前述处理气体放出时驱动前述昇降机构,来变化前述载置台上基板与对向板之间的间隔。9.如申请专利范围第8项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,使得前述载置台与对向板互相接近,以使前述基板与对向板间之间隔渐渐变小。10.如申请专利范围第9项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,使得前述基板与对向板互相接近之速度渐渐变慢。11.如申请专利范围第10项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,使得前述基板与对向板互相接近之速度阶段性地变慢。12.如申请专利范围第8项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,俾使前述基板与对向板周期性或非周期性的接近/远离,并使前述基板与对向板间之间隔产生周期性或非周期性的变化。13.如申请专利范围第12项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,俾使前述基板与对向板互相接近之速度渐渐变慢。14.如申请专利范围第13项之臭氧处理装置,其中,前述控制机构系控制前述昇降机构的动作,俾使前述基板与对向板互相接近之速度阶段性地变慢。图式简单说明:第1图系表示本发明之臭氧处理装置之截面图;第2图系说明载置台的上昇位置与其上昇速度的关系之说明图。又,第3图系表示习知例之臭氧处理装置的一部分之前视图。
地址 日本