| 主权项 |
1.一种具有复数之开关元件之主动矩阵型液晶显示装置,其特征为:具有至少其中一方为透明之一对之基板,及被配置于上述一对之基板间之液晶层,及被形成于上述一对之基板之其中一方之基板,对于此基板面使具有支配性的平行之成份之电场产生于上述液晶层用之电极构造,及形成于接触上述一对之基板上之液晶层之各别之面上之一对之定向控制膜,及夹住上述一对之基板地被配置之一对之偏光板,上述液晶层与上述定向控制膜之界面之玻璃转变温度Tg在形成上述液晶层之液晶组成物之向列的-等方性相转变温度T(N-I)以上。2.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述配向膜表面之玻璃转变温度Tg在形成上述液晶层之液晶组成物之向列的-等方性相转变温度T(N-I)以上。3.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中对于上述定向控制膜与上述液晶层之界面之液晶分子之上述定向控制膜之表面之扭转结合系数A2为20N/m以下。4.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层与上述一对之基板之二个之界面之液晶分子之定向控制方向,几乎为同一方向。5.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述1对之偏光板在上述液晶层之曲折各向异性为n,厚度为d时,参数dn满足:0.2m<dn<0.5m。6.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为聚胺酸亚胺系、聚醯亚胺系、聚醯亚胺矽氧烷系、聚胺亚胺系之有机高分子。7.如申请专利范围第6项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述有机高分子之重量平均分子量为10,000以上~300,000以下。8.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方,以重量平均分子量/数平均分子量之比表示之分散系数为2以下之有机高分子。9.如申请专利范围第8项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述定向控制膜为由:以化学式H2N-R-NH2表示之二胺化合物,及以化学式[化1]表示之四羧酸二酐所形成之聚胺酸之脱水闭环之有机高分子,在其之重复构造中之R及X,可以使高分子之分子轴旋转之结合基,-O-、-S-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2--SO2-、间(meta)结合、邻(ortho-)结合合在一起,共3个以下。10.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为无机材料层。11.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为光反应性之材料层。12.如申请专利范围第1项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层之预倾角为5度以下。13.一种具有复数之开关元件之主动矩阵型液晶显示装置,其特征为:具有至少其中一方为透明之一对之基板,及被配置于上述一对之基板间之液晶层,及被形成于上述一对之基板之其中一方之基板,对于此基板面使具有支配性的平行之成份之电场产生于上述液晶层用之电极构造,及形成于接触上述一对之基板上之液晶层之各别之面上之一对之定向控制膜,及夹住上述一对之基板地被配置之一对之偏光板,上述一对之定向控制膜之表面弹性率在1GPa以上。14.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中对于上述定向控制膜与上述液晶层之界面之液晶分子之上述定向控制膜之表面之扭转结合系数A2为20N/m以下。15.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层与上述一对之基板之二个之界面之液晶分子之定向控制方向,几乎为同一方向。16.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述1对之偏光板在上述液晶层之曲折各向异性为n,厚度为d时,参数dn满足:0.2m<dn<0.5m。17.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为聚胺酸亚胺系、聚醯亚胺系、聚醯亚胺矽氧烷系、聚胺亚胺系之有机高分子。18.如申请专利范围第17项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述有机高分子之重量平均分子量为10,000以上~300,000以下。19.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方,以重量平均分子量/数平均分子量之比表示之分散系数为2以下之有机高分子。20.如申请专利范围第19项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述定向控制膜为由:以化学式H2N-R-NH2表示之二胺化合物,及以化学式[化1]表示之四羧酸二酐所形成之聚胺酸之脱水闭环之有机高分子,在其之重复构造中之R及X,可以使高分子之分子轴旋转之结合基,-O-、-S-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2--SO2-、间(meta)结合、邻(ortho-)结合合在一起,共3个以下。21.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为无机材料层。22.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为光反应性之材料层。23.如申请专利范围第13项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层之预倾角为5度以下。24.一种具有复数之开关元件之主动矩阵型液晶显示装置,其特征为:具有至少其中一方为透明之一对之基板,及被配置于上述一对之基板间之液晶层,及包含被形成于上述一对之基板之其中一方之基板之电极构造,被配置于对于此基板面使具有支配性的平行之成份之电场产生于上述液晶层用之规定间隔之复数电极之电极构造,及以光反应性材料被形成于上述电极构造上之定向控制膜,及夹住上述一对之基板地被配置之一对之偏光板,上述液晶层与上述定向控制膜之界面之玻璃转变温度Tg在形成上述液晶层之液晶组成物之向列的-等方性相转变温度T(N-I)以上。25.如申请专利范围第24项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述光反应性材料系经由照射偏光以控制上述液晶层之定向方向。26.如申请专利范围第25项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述光反应性材料包含至少一种以上之重氮苯基或其诱导体之聚合物及/或含有寡聚物(oligomer)之有机高分子。27.如申请专利范围第25项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述光反应性材料包含至少一种类以上之二苯乙烯基或其之诱导体之聚合物及/或含有寡聚物之有机高分子。28.如申请专利范围第25项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述光反应性材料含有经由热、或光、或放射线之中至少一种以上之照射处理以硬化之聚合物前驱体或聚合物之有机高分子。29.如申请专利范围第28项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述聚合物前驱体或聚合物系含有:乙烯基、或乙炔基、或二乙炔基、或马来亚胺基。30.如申请专利范围第28项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中在由上述光反应性材料层形成之上述定向控制膜与具有上述定向控制膜之基板之间,存在比上述配向膜厚且透明之有机高分子层。31.一种具有复数之开关元件之主动矩阵型液晶显示装置,其特征为:具有至少其中一方为透明之一对之基板,及被配置于上述一对之基板间之液晶层,及被形成于上述一对之基板之其中一方之基板,对于此基板面使具有支配性的平行之成份之电场产生于上述液晶层用之电极构造,及形成于接触上述一对之基板上之液晶层之各别之面上之一对之定向控制膜,及夹住上述一对之基板地被配置之一对之偏光板,上述定向控制膜之玻璃转变温度Tg在300℃以上。32.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中对于上述定向控制膜与上述液晶层之界面之液晶分子之上述定向控制膜之表面之扭转结合系数A2为20N/m以下。33.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层与上述一对之基板之二个之界面之液晶分子之定向控制方向,几乎为同一方向。34.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述1对之偏光板在上述液晶层之曲折各向异性为n,厚度为d时,参数dn满足:0.2m<dn<0.5m。35.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为聚胺酸亚胺系、聚醯亚胺系、聚醯亚胺矽氧烷系、聚胺亚胺系之有机高分子。36.如申请专利范围第35项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述有机高分子之重量平均分子量为10,000以上~300,000以下。37.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方,以重量平均分子量/数平均分子量之比表示之分散系数为2以下之有机高分子。38.如申请专利范围第37项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述定向控制膜为由:以化学式H2N-R-NH2表示之二胺化合物,及以化学式[化1]表示之四羧酸二酐所形成之聚胺酸之脱水闭环之有机高分子,在其之重复构造中之R及X,可以使高分子之分子轴旋转之结合基,-O-、-S-、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2--SO2-、间(meta)结合、邻(ortho-)结合合在一起,共3个以下。39.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为无机材料层。40.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述一对之定向控制膜之至少其中一方为光反应性之材料层。41.如申请专利范围第31项记载之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液晶层之预倾角为5度以下。图式简单说明:图1系显示本发明之液晶显示装置之液晶之动作图,(a)为没有施加电压时,(b)为显示电压施加时之状态图。图2系说明本发明之电气光学特性之图,(a)为基本之电压、亮度特性,(b)为显示表示残留图像现象之电压、亮度特性图。图3系显示液晶分子与基板表面之极结合与扭转结合图。图4系显示本发明之薄膜电晶体之电极、配线之构造图,(a)为正面图,(b)、(c)为侧剖面图。图5系显示残留图像强度之温度依存性图。 |
