| 主权项 |
1.一种基板处理装置,系用以加热处理业经涂布含有酸发生剂、溶解阻止剂及聚合物链保护基之中至少1种物质与溶剂之光阻剂的基板者,该基板处理装置包含:一处理室,其具有可密闭之空间;一板,配置于前述空间内,系用以载置前述涂布有光阻剂的基板者;一减压部,用以使前述空间内减压;及一控制部,用以控制前述减压部,使前述含有溶剂的光阻剂之溶剂挥发,且使压力达到前述物质实质残存于前述光阻剂内的程度。2.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:更具有用以加热前述板之加热器,且前述控制部,系用以控制前述减压器及前述加热器,使前述光阻剂中所含有的溶剂挥发,且,使温度与压力到达前述物质实质上残存在光阻剂中之程度。3.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:更具有配置于前述空间内用以冷却处理前述基板之冷却部者。4.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:更具有可以第1不活性气体冲洗前述密闭空间之冲洗部者。5.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:前述第1不活性气体为氮气。6.如申请专利范围第2项所述之基板处理装置,其中:在前述密闭空间中更具有供热传导用第2不活性气体流入之气体流入机构。7.如申请专利范围第6项所述之基板处理装置,其中:前述第2不活性气体为氦气。8.如申请专利范围第6项所述之基板处理装置,其中:前述板上具有可将基板浮起且固持/支持之的构件,且前述气体之流入机构系用以使前述第2不活性气体流入前述热板与基板间的间隙者。9.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:更具有使业经调温的第3不活性气体流入前述密闭空间中的调温气体流入机构,且前述控制部,用以控制前述减压器及前述第3不活性气体之温度,使前述光阻剂中所含有的溶剂挥发,且,使温度与压力到达前述物质实质上残存在光阻剂中的程度。10.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:更具有与前述板上所载置的基板接近而相面对,且由热传导率低的材料所制成的构件。11.如申请专利范围第10项所述之基板处理装置,其中:前述板片上所载置的基板和前述对面构件之间的间隔约为1mm者。12.如申请专利范围第10项所述之基板处理装置,其中:前述对面构件系由高密度聚乙烯所制成者。13.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:前述对面构件系由结晶体所制成者。14.如申请专利范围第1项所述之基板处理装置,其中:前述减压部系具备有减压泵与减压调整阀者。15.如申请专利范围第14项所述之基板处理装置,其中:前述减压部系使用减压调整用的阀使空间内徐徐减压者。16.一种基板处理装置,系用以加热处理业经涂布含有酸发生剂、溶解阻止剂及聚合物链保护基之中至少1种物质与溶剂之光阻剂的基板者,该基板处理装置包含:一处理室,其具有可密闭的空间;一处理板,配置于前述空间内,系用以于常温下处理业经涂布上述光阻剂之基板者;一减压装置,系用以使前述密闭空间内减压者;及一控制装置,用以控制前述处理板之温度前述空间内的真空度,使前述含有溶剂的光阻剂之溶剂挥发,且使压力及温度达到前述物质实质残存于前述光阻剂内的程度。17.一种基板处理方法,用以对业经涂布含有酸发生剂、溶解阻止剂及聚合物链保护基之中至少1种物质与溶剂的光阻剂的基板进行加热处理者,该方法包含:(a)在前述光阻剂所含有的溶剂挥发,且压力及温度达到前述物质实质残存于前述光阻剂内之程度的状态下,处理前述基板之步骤,及(b)将业经前述处理之基板加以冷却处理之工程。18.如申请专利范围第17项所述之基板处理方法,其中:在前述工程(a)到(b)之间,更具有使第1不活性气体冲洗用以处理基板之空间的步骤。19.如申请专利范围第17项所述之基板处理方法,其中:在前述工程(a)到(b)之间,使热传导用第2不活性气体流入用以处理基板的空间。图式简单说明:第1图为本发明之一实施形态之涂布显像处理系统之整体构成的平面图。第2图为第1图所示之涂布显影处理系统之正面图。第3图为第1图所示之涂布显影处理系统之背面图。第4图为一实施形态之预烘烤单元之整体构成的断面略图。第5A-D图为说明第4图所示之预烘烤单元之动作之图。第6图为其他实施形态之预烘烤单元之整体构成的断面略图。第7图为另外的其他实施形态之预烘烤单元之整体构成的断面略图。第8图为再一个另外的其他实施形态有关之预烘烤单元之整体构成的断面略图。 |
