发明名称 侧面发光半导体发光装置及其制造方法
摘要 本发明揭示一种侧面发光光导体发光装置及其制造方法,其系侧面发光半导体发光装置10包含基板12,并在基板12设置有不透光性及反射性树脂所形成的盒体14。在基板12的表面形成有电极18a和18b,并将LED晶片黏接在该电极18a和18b。将透光性树脂填充于基板12与盒体14之间,使之模塑LED晶片20。侧面发光半导体发光装置10的发光面系由透光性树脂16所形成的面16a、面16b以及与面16b相对向之面所形成。该发光面形成为粗糙面。因此,自LED晶片输出的光以及由盒体14反射的光于发光面而乱射。
申请公布号 TW523935 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW090109748 申请日期 2001.04.24
申请人 罗沐股份有限公司 发明人 藤井健博
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种侧面发光半导体发光装置,系具备:形成有电极之基板;黏接于前述电极之LED晶片;及将前述LED晶片模塑之透光性树脂,前述透光性树脂系具有与前述基板正交且由粗糙面所形成的发光面。2.如申请专利范围第1项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述发光面系由切割所形成。3.一种侧面发光半导体发光装置之制造方法,系包含下述步骤:(a)将开口相对向之两个反光板配置在安装有LED晶片之基板上;(b)将透明树脂注入前述开口的相对部;以及(c)在前述相对向部切割已硬化之前述透明树脂及前述基板。4.一种侧面发光半导体发光装置,系具备:形成有电极之基板;黏接于前述基板上之LED晶片;将前述LED晶片模塑之透光性树脂;及将自前述LED晶片发射的光反射之反光板,前述透光性树脂系具有凸部,前述反光板具有与前述凸部相嵌合之凹部。5.如申请专利范围第4项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述凹部系从前述反光板的一主面朝另一主面扩径之贯穿孔。6.如申请专利范围第5项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述一主面系与前述透光性树脂相连接之面,前述另一主面则系露出于外部之面。7.如申请专利范围第4项至第6项之任一项的侧面发光半导体发光装置,其中,前述LED晶片具有从上面延伸之焊接线,前述凹部形成于前述LED晶片的正上方。8.一种侧面发光半导体发光装置之制造方法,系包含下述步骤:(a)将形成有凹部之反光板配置在基板上;(b)将包含前述凹部内面之前述反光板表面所附着的有机物去除;以及(c)在前述反光板与基板之间将透光性树脂注入至前述凹部内。9.如申请专利范围第8项之侧面发光半导体发光装置之制造方法,其中,在前述步骤(b)中对前述反光板进行UV洗净。10.一种侧面发光半导体发光装置,系具备:形成有电极之基板;及使用黏接糊胶而黏接于前述电极之LED晶片,前述LED晶片系具有透明底座及其上所形成的发光层,且安装于从前述黏接糊胶的涂布位置偏移至发光面侧之位置。11.如申请专利范围第10项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述电极包含从前述LED晶片安装位置偏移至与前述发光面相反方向之中心的涂布区域。12.如申请专利范围第11项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述电极包含除了前述涂布区域而形成于前述发光面侧之辅助区域;及连接前述涂布区域与前述辅助区域之窄宽连结部。13.如申请专利范围第11项或第12项之侧面发光半导体发光装置,其中,前述涂布区域的中心自前述基板中心朝前述相反方向挪移。图式简单说明:第1图为本发明一实施例的图解图;第2(A)图为第1图之发光装置的IIA-IIA剖视图;第2(B)图为第1图之发光装置的IIB-IIB剖视图。第3(A)图为第1图之发光装置制造而使用的连续基板以及连续盒的图解图;第3(B)图为在连续基板黏接连续盒之沈积体的图解图;第4(A)图为制造积层体之工程的图解图;第4(B)图为在积层体压模具之工程的图解图;第4(C)图为在已压模具的积层体注入透光性树脂之工程的图解图;第4(D)图为切割积层体之工程的图解图;第5图为本发明其他实施例之图解图;第6(A)图为第5图之发光装置的VIA-VIA剖视图;第6(B)图为第5图之发光装置的VIB-VIB剖视图;第7(A)图为第5图之发光装置制造而使用的连续基板以及连续盒的图解图;第7(B)图为在连续基板黏接有连续盒之积层体的图解图;第8(A)图为制造积层体之工程的图解图;第8(B)图为在积层体压模具之工程的图解图;第8(C)图为在已压模具的积层体注入透光性树脂之工程的图解图;第8(D)图为切割积层体之工程的图解图;第9图为第5图之发光装置变形例的剖视图;第10图为本发明其他实施例之图解图;第11(A)图为第10图之发光装置的XA-XA剖视图;第11(B)图为第10图之发光装置的XB-XB剖视图;第12图为第11图之LED晶片的图解图;第13(A)图为从上方观看黏接于电极的LED晶片及DB糊胶的图解图;第13(B)图为从发光面侧(正面侧)观看黏接于电极的LED晶片及DB糊胶的图解图;第13(C)图为从侧面观看黏接于电极的LED晶片及DB糊胶的图解图;第13(D)图为从相反侧(背面侧)观看黏接于电极的LED晶片及DB糊胶的图解图;第14(A)图为形成于基板上之电极的图解图;第14(B)图为LED晶片安装于电极之状态图解图;第15(A)图为第10图之发光装置制造所使用的连续基板以及连续盒的图解图;第15(B)图为在连续基板黏接连续盒之积层体的图解图。第16(A)图为制造积层体之工程的图解图;第16(B)图为在积层体压模具之工程的图解图;第16(C)图为在已压模具的积层体注入透光性树脂之工程的图解图;第16(D)图为切割积层体之工程的图解图;第17(A)图为以往之侧面发光半导体发光装置的图解图;第17(B)图为第17(A)图之侧面发光半导体发光装置的XVIB-XVIB剖视图;第18(A)图为作为背景技术之侧面发光半导体发光装置的图解图;第18(B)图为第18(A)图之侧面发光半导体发光装置的XVIIB-XVIIB剖视图;第19(A)图为第18(A)图之制造发光装置时在连续基板黏接连续盒之工程的图解图;第19(B)图为在黏接于连续基板之连续盒压模具之工程的图解图;第19(C)图为在已压模具的连续盒注入透光性树脂之工程的图解图。
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