| 主权项 |
1.一种用于校准热处理腔内之温度感测装置之方法,其包含之步骤如下:提供一热处理腔,该热处理腔包含至少一辐射感测装置,用于测量置于腔内之半导体晶圆之温度,上述之热处理腔可与一组用于加热腔内之半导体晶圆之光能源相连接,该腔室更包含一校正光源;将一反射装置置入上述之热处理腔内,且将反射装置设置于至少一辐射感测装置之对面;从校正光源放射光能至反射装置上,该反射装置反射一具有预设値之光能之数量;藉由至少一辐射感测装置感测到由反射装置所反射之光能;及藉由至少一辐射感测装置所感测之光能之数量及其相关之预设値来校准至少一辐射感测装置。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,至少一辐射感测装置包含一高温计。3.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,辐射感测装置于预设之波长下感测光能。4.根据申请专利范围第3项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,且该反射表面在预设波长下,具有至少为0.9之反射系数。5.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,且该反射表面系由一含有介电成份之材料所制成。6.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,且该反射表面系具有相当程度之散射。7.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,且该反射表面系由一含有金属之材料所制成。8.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,校正光源放射之光能被导入反射装置,反射装置于离开此装置前,将光能散布于整个装置内,且至少被一辐射感测装置所感测。9.根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,反射装置包含一具有粗糙表面之石英板,该粗糙表面被设置于至少一辐射感测装置之对面。10.一种用于校准热处理腔内之温度感测装置之方法,其包含之步骤如下:提供一热处理腔,该热处理腔包含一组用于监测置于腔内之半导体晶圆之温度,该腔室更包含一校正光源;将一反射装置置入热处理腔,且该反射装置被设置于一组高温计之对面;从校正光源放射光能至反射装置上,该反射装置系设计成可散射光能,以使每一高温计曝晒于极尽相同之光能强度下,且该光能强度具有一预设値;在一预设之波长下,由反射装置反射之光能系藉由一组高温计感测;及根据由高温计感测之光能数量以及其相关之预设値来校准高温计。11.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,预设波长之范围从约0.9微米至约5微米之间。12.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,校正光源放射出红外线。13.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射表面系粗糙,以便散射由校正光源所放射之光能。14.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射表面在一预设之波长下,具有至少为0.9之反射系数。15.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射装置系由一含有介电成份之材料所制成。16.根据申请专利范围第15项所述之方法,其中,反射装置具有与晶圆相似之形状。17.根据申请专利范围第15项所述之方法,其中,基板系由一选自含石英及碳化矽群组之材料所制成,且该反射表面包含一涂层,覆盖于由介电成份所制之基板上。18.根据申请专利范围第10项所述之方法,其中,校正光源放射之光能被导入反射装置,该反射装置于光能离开此装置前,将光能散布于整个装置内,且至少被一辐射感测装置所感测。19.根据申请专利范围第18项所述之方法,其中,反射装置包含一具有粗糙表面之石英板,该粗糙表面被设置于至少一辐射感测装置之对面。20.一种用于校准热处理腔内之温度感测装置之系统,其包含:一适于容纳半导体晶圆之腔室;一热源,其与腔室相连接,用以加热包含在腔室内之半导体晶圆;至少一辐射感测装置,用于监测包含在腔室内之半导体晶圆之温度;一反射装置,其系设置于至少一辐射感测装置之对面;一校正光源,用于向反射装置放射光能,其中,反射装置系设计成可反射光能,该反射之光能具一预设値;及一控制器,其与至少一辐射感测装置相连接,该控制器系设计为当感测到从反射装置反射光能时,即从辐射感测装置接收讯息,该控制器系设计成可根据由至少一辐射感测装置所感测之反射光能数量,及相关之预设値来校准至少一辐射感测装置。21.根据申请专利范围第20项所述之系统,其中,至少一辐射感测装置包含一高温计。22.根据申请专利范围第20项所述之系统,其中,至少一辐射感测装置包含一组高温计,该高温计系设计成可感测预设波长下之热辐射。23.根据申请专利范围第22项所述之系统,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射表面在预设之波长下具有至少为0.9之反射系数。24.根据申请专利范围第22项所述之系统,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射表面系由一含有介电成份之材料所制成。25.根据申请专利范围第22项所述之系统,其中,反射装置包含一具有反射表面之基板,该反射表面系设计成可散射由校正光源放射之光能,以使每一高温计曝晒于极尽相同之光能强度下。26.根据申请专利范围第20项所述之系统,其中,热源包含一组光能源。27.根据申请专利范围第26项所述之系统,其中,控制器包含一微处理器。28.根据申请专利范围第22项所述之系统,其中,校正光源之设置系使放射光能进入反射装置,该反射装置被配置于光能离开此装置前,将光能散布于整个装置内,且由高温计所感测。29.根据申请专利范围第28项所述之系统,其中,反射装置系设计成可散布光能,以使每一高温计曝晒于极尽相同之光能强度下。30.根据申请专利范围第29项所述之系统,其中,反射装置包含一具有粗糙表面之石英板。31.根据申请专利范围第20项所述之系统,其中,腔室更包含一基板夹持器,用于夹持半导体晶圆,反射装置具有与晶圆相似之形状,且其被设计成当校准至少一辐射感测装置时,被置于基板夹持器上。图式简单说明:图一 系为一根据本发明用于校准温度感测装置之系统之具体实例之侧视图;图二 系为一具有校正光源及反射装置之具体实例之侧视图,该图显示在本发明方法中使用之情形;图三 系为一具有校正光源及反射装置之可替代之具体实例之侧视图,其或许可用于本发明之方法中;及图四 系为一绘于图三之反射装置之平面图。 |
