| 主权项 |
1.一种电子装置,其特征在于:系具有在主面有多数电极的配线基板和装载于前述配线基板主面上的第一半导体装置及第二半导体装置,前述第一半导体装置具有半导体晶片:具有互相对向的第一主面和第二主面、形成于前述第一主面的第一电极和第二电极及形成于前述第二主面的第三电极;第一引线:具有位于前述第一电极上的第一部分和与前述第一部分一体形成且位于前述半导体晶片外侧的第二部分;第二引线:具有位于前述第二电极上的第一部分和与前述第一部分一体形成且位于前述半导体晶片外侧的第二部分;多数凸起状电极:配置于前述第一引线和前述第一电极之间及前述第二引线和前述第二电极之间,并且电气连接各个;及绝缘层:系配置于前述第一引线和前述半导体晶片第一主面之间及前述第二引线和前述半导体晶片之间,覆盖配置前述多数凸起状电极的区域以外的前述半导体晶片第一主面;前述第一引线及第二引线各个的第二部分在半导体晶片厚度方向折弯成各个前端部配置于和前述半导体晶片第二主面大致相同高度,前述第一引线及第二引线各个的第二部分前端部及前述第三电极各个连接于和各个对应的前述配线基板的电极者。2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中前述第一电极为源极,前述第二电极为闸极,前述第三电极为汲极。3.如申请专利范围第1或2项之电子装置,其中前述第一电极为汲极,前述第二电极为闸极,前述第三电极为源极。4.如申请专利范围第1项之电子装置,其中前述第一半导体装置厚度比前述第二半导体装置薄。5.如申请专利范围第4项之电子装置,其中前述第一半导体装置之第一引线及第二引线厚度比前述第二半导体装置之引线厚。6.如申请专利范围第1项之电子装置,其中:前述第二半导体装置具有半导体晶片:具有第一主面及与上述第一主面互相对向的第二主面,且具有形成于前述第一主面之积体电路及复数电极;复数引线,配置于上述半导体晶片之周围,且与上述半导体晶片之复数电极电气连接;及树脂密封体,覆盖前述半导体晶片及复数引线之一部分,其中从前述复数引线之树脂密封部向外侧露出之外部引线部朝向前述配线基板之方向弯曲,且前述外部引线部之前端部系透过焊接而面安装于前述配线基板上。7.如申请专利范围第6项之电子装置,其中前述第二半导体装置系安装型塑胶封装体。8.如申请专利范围第7项之电子装置,其中前述第一半导体装置之半导体晶片包含具有闸极、源极及汲极之MOSFET,且前述第二半导体装置之半导体晶片包含用于控制前述MOSFET之闸极电压之控制用积体电路。9.如申请专利范围第8项之电子装置,其中前述第一半导体装置之半导体装置之半导体晶片之第一电极为源极,上述第二电极为闸极,上述第三电极为汲极。10.如申请专利范围第9项之电子装置,其中前述第一半导体装置及前述第二半导体装置系搭载于前述配线基板中不同平面的的区域上,且前述配线基板的厚度方向上之前述第一半导体装置之厚度较前述第二半导体装置为薄。11.如申请专利范围第10项之电子装置,其中前述第一半导体装置之第一引线及第二引线之厚度较前述第二半导体装置之复数引线为厚。12.如申请专利范围第11项之电子装置,其中前述第二半导体装置之复数引线系介由复数结线而电性连接于前述半导体晶片之复数电极上。图式简单说明:图1为显示为本发明一实施形态的功率模组(电子装置)概略结构的模式平面图,图2为显示图1的配线基板的配线图案的模式平面图,图3为图1的要部模式截面图,图4为显示图1的功率模组电路结构的等效电路图,图5为显示图1的功率电晶体概略结构的模式透视图,图6为沿着图5的a-a线的模式截面图,图7为沿着图5的b-b线的模式截面图,图8为沿着图5的c-c线的模式截面图,图9及图10为显示图5的半导体晶片概略结构的模式平面图及模式底面图,图11为沿着图9的d-d线的模式截面图,图12为沿着图9的e-e线的模式截面图,图13为显示图7的闸导体层的平面图案的模式平面图,图14为本发明一实施例之变形例中功率模组要部模式之截面图。 |
