发明名称 电气装置及其制造方法
摘要 一种制造一复合聚合物电路保护装置之方法,其中提供一聚合物总成及然后再划分为个别装置(2)。该总成系经由提供第一及第二积层(7,8),各积层包括一具有至少一导电表面之层状聚合物元件,经由提供一图样于一积层之导电表面之至少一面上,经由以预定配置固定该等积层于一堆叠(1),经由至少一积层之至少一导电表面形成该堆叠之一外导电表面(3),以及经由制造复数个电气连结(31,51)介于第一积层之导电表面与第二积层之导电表面间。层状聚合物元件可为PTC导电聚合物组合物,故由该方法制造的个别装置具有PTC表现。
申请公布号 TW523899 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW089118817 申请日期 2000.09.14
申请人 泰可电子公司 发明人 史考 夕特顿;魏尼 蒙脱亚;汤玛士 布鲁格;兰迪 达林
分类号 H01L23/522 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种制造一复合聚合物电路保护装置之方法,该方法包含(1)提供一聚合物总成,包含(a)提供第一及第二积层,各积层包含一层状聚合物元件具有至少一导电表面,(b)提供一导电材料图样于一积层之导电表面之至少一面上;(c)以预定配置固定积层于一堆叠,至少一积层之至少一导电表面构成该堆叠之外部导电表面,以及(d)制造复数个电气连结介于第一积层之导电表面与第二积层之导电表面间;以及(2)将该堆叠再划分成为个别装置,各该装置包含至少一电气连结。2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)之图样系经由从一积层之导电面之至少一面上去除部份导电材料形成,较佳系藉蚀刻、研磨或冲压方法形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含提供导电材料图样于外部导电面之至少一面上,较佳系由外部导电面选择性去除部份导电材料提供。4.如申请专利范围第3项之方法,其中至少一图样化外部导电面系以绝缘层部份覆盖。5.如申请专利范围第3项之方法,其中内及外导电面上的图样不同。6.如申请专利范围第1项之方法,其中一层额外导电层加至外部导电面之至少一面的至少一部份上。7.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)及(d)系同时进行。8.如申请专利范围第1项之方法,其中至少一积层作记号而提供方向性的独特识别,较佳其中积层记号提供划界用于再度划分成为个别装置。9.如申请专利范围第1项之方法,其中总成包含一第三积层。10.如申请专利范围第1项之方法,其中积层系藉黏着剂而彼此固定于该堆叠。11.如申请专利范围第1项之方法,其中介于堆叠的第一与第二积层之导电面间经由(i)形成一孔隙伸展贯穿堆叠,以及(ii)形成一导电件于孔隙内部做出电连结。12.如申请专利范围第1项之方法,其中电连结之位置为个别装置包含至少二电连结。13.如申请专利范围第1项之方法,其中于至少一积层之层状聚合物元件包含一种PTC导电聚合物组合物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中(a)于各积层的层状聚合物元件包含一种PTC导电聚合物组合物;以及(b)于各积层之PTC导电聚合物组合物系与另一积层的PTC导电聚合物组合物相同或相异。15.如申请专利范围第1项之方法,其中至少一层状聚合物元件包含一种ZTC导电聚合物材料,一种NTC导电聚合物材料或一种绝缘聚合物材料。16.如申请专利范围第1项之方法,其中个别装置系经由使用锯、剪、刀片、线、喷水枪、夹紧装置、雷射或其组合而由总成细部划分。17.如申请专利范围第1项之方法,其中各积层上的导电面包含金属箔。18.一种聚合物总成,包含:(a)一第一积层,包含一具有至少一导电表面有图样之层状聚合物元件;(b)一第二积层,包含一具有至少一导电表面有图样之层状聚合物元件,该第二积层系固定于堆叠的第一积层,故该积层具有第一及第二外部导电表面;以及(c)复数个横向导电件,其贯穿通过第一及第二积层介于第一与第二外部导电表面间。19.一种复合装置,包含:(1)第一及第二外部层状电极,(2)第三及第四内部层状电极,(3)第一及第二层状PTC电阻元件,其个别(i)具有PTC表面,及(ii)包含由一种PTC导电聚合物组成的层状元件,该第一电阻元件具有第一外部电极固定之第一面,以及第三内部电极固定之相反第二面,以及该第二电阻元件具有一第二外部电极固定的第一面及一第四内部电极固定的相反的第二面,(4)一第五外部层状导电件,其(i)固定于第一PTC电阻元件之第一面,以及(ii)与第一外部电极隔开,(5)一第六外部层状导电件,其(i)固定于第二PTC电阻元件之第一面,以及(ii)与第二外部电极隔开,(6)一第七内部层状导电件,其(i)固定于第一PTC电阻元件之第二面,以及(ii)与第三内部电极隔开,(7)一第八内部层状导电件,其(i)固定于第二PTC电阻元件之第一面,以及(ii)与第四内部电极隔开,(8)一第一孔隙通过第一层状PTC元件之第一外部电极与第二层状PTC元件之第二外部电极间,(9)一第二孔隙,其系介于第一层状PTC元件之第五外部层状导电件与第二层状PTC元件之第六外部层状导电件间,(10)一第一横向导电件,其(a)位于第一孔隙内部,(b)介于第一层状PTC元件之第一外部电极与第二层状PTC元件之第二外部电极间,(c)固定于第一PTC元件,第二PTC元件及第三层状元件,以及(d)以物理方式及电性连结至第一外部层状电极、第七内部层状导电件、第八内部层状导电件以及第二外部层状电极,但未连结至第三或第四内部电极,以及(11)一第二横向导电件,其(a)位于第二孔隙内部,(b)介于第五外部层状导电件与第六外部层状导电件间,(c)固定于第一PTC元件、第二PTC元件及第三层状聚合物层,以及(d)以物理方式及电性连结至第五外部层状导电件、第三内部电极、第四内部电极以及第六外部层状导电件,但未连结至第一或第二外部电极。20.如申请专利范围第19项之复合装置,进一步包含一第三层状元件,其(i)包含一种绝缘聚合物,(ii)插置于第一与第二层状PTC电阻元件间,以及(iii)固定第一层状PTC元件至第二PTC元件。图式简单说明:图1为于本发明之第一特征方面形成之一堆叠之截面透视图,该堆叠可再划分为复数个别复合装置;图2为已经于内部导电表面图样化之堆叠之分解视图;图3为一堆叠之顶部平面图;图4为一堆叠之截面沿图3之线IV-IV所取之剖面图;图5为本发明之复合装置之透视图;图6为复合装置架设于一印刷电路板上且平行电路板之剖面图;图7为复合装置之平面图,进一步举例说明于图8,9,10,11,14及21;图8,9及10为有二元件并联连结之复合装置之沿图7线VIII-VIII所取之截面图;图11为有三元件并联连结之复合装置之沿图7线VIII-VIII所取之截面图;图12为另一复合装置之平面图,带有二元件并联连结但无图13所示之剩余导电件;图13为沿图12之线XIII-XIII所取之截面图;图14为有二元件并联连结之另一复合装置之沿图7线VIII-VIII所取之截面图;图15为一带有二元件系串联连结之复合装置之剖面图;图16为带有多于二个外部电连结点之复合装置之平面图;图17为个别装置连结在一起形成图16及18至20之复合装置之互连架构之电路图。图18,19及20为分别沿图16之线XVIII-XVIII,XIX-XIX及XX-XX所取之剖面图;图21为带有二外部电极及一内部电极之复合装置之剖面图;图22为带有多个电连结介于复合装置之各层间之复合装置之平面图;图23为沿图22之线XXIII-XXII之剖面图;图24及26为本发明之堆叠之分解图,该堆叠形成一总成且可再划分为复数个别复合装置;以及图25及27分别为由图24及26之堆叠制成的本发明之装置之透视图。
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