| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于具有绝缘性树脂形成之封装体、及在引脚露出前述封装体安装面以形成前述封装体之结果所残留之浇口硬化树脂,前述浇口硬化树脂在引脚与引脚间之部分构成厚度相同于或小于引脚之厚度者。2.一种半导体装置,其特征在于具有绝缘性树脂形成之封装体、及在引脚及吊脚露出前述封装体安装面以形成前述封装体之结果所残留之浇口硬化树脂,前述浇口硬化树脂在吊脚与引脚间之部分构成厚度相同于或小于吊脚之厚度者。3.一种半导体装置,其特征在于具有绝缘性树脂形成之封装体、及在引脚及吊脚露出前述封装体安装面以形成前述封装体之结果所残留之浇口硬化树脂及出气口硬化树脂,前述浇口硬化树脂及出气口硬化树脂在吊脚与引脚间之部分构成厚度相同于或小于树脂毛边之厚度者。4.一种半导体装置,其特征在于具有绝缘性树脂形成之封装体、及在引脚及吊脚露出前述封装体安装面以形成前述封装体之结果所残留之浇口硬化树脂及出气口硬化树脂,前述浇口硬化树脂及出气口硬化树脂构成由前述封装体之边缘延伸一定厚度,且表、背面成平坦面者。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体装置,其中前述浇口硬化树脂形成一部分重叠于吊脚者。6.如申请专利范围第3或4项之半导体装置,其中前述出气口硬化树脂形成一部分重叠于吊脚者。7.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述浇口硬化树脂形成一部分重叠于一个至多数个引脚者。8.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中前述出气口硬化树脂形成一部分重叠于一个至多数个引脚者。9.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有:准备设有框部、由该框部向框内突出之多数引脚及由前述框部向框内突出而以前端部分支持衬垫之多数吊脚之引脚框之工序;将半导体晶片固定于前述衬垫之一面之工序;使前述半导体晶片之电极及与前述引脚保持电气的连接之工序;利用绝缘性树脂形成之封装体覆盖前述半导体晶片及前述引脚,同时使前述引脚、前述吊脚露出于前述封装体安装面之工序;及切断前述引脚及前述吊脚之工序;其中其使用仅由前述引脚及前述吊脚之侧面所形成之高度空间作为树脂流路,以形成前述封装体,同时前述引脚及前述吊脚系在仅由前述引脚及前述吊脚之侧面所形成之高度空间硬化之树脂部分被切断者。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中仅由前述引脚及吊脚之侧面所形成之高度空间外侧设有设于压模金属模之浇口,使树脂通过前述浇口,并流过前述高度空间,以形成前述封装体者。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中在仅由前述引脚及吊脚之侧面所形成之高度空间外侧设有设于压模金属模之出气口,使前述树脂通过前述高度空间,并通过前述出气口者。12.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有以下工序准备设有框部、由该框部内侧向框内突出之多数引脚、及由前述框部内侧向框内突出而以前端部分支持衬垫之多数吊脚之引脚框之工序;将半导体晶片固定于前述衬垫之一面之工序;使前述半导体晶片之电极及与前述引脚保持电气的连接之工序;利用绝缘性树脂形成之封装体覆盖前述半导体晶片及前述引脚,同时使前述引脚、前述吊脚露出于前述封装体安装面之工序;及使前述半导体晶片之电极及与前述引脚保持电气的连接之工序;其中利用绝缘性树脂形成之封装体覆盖前述半导体晶片及前述引脚,同时使前述引脚、前述吊脚露出于前述封装体安装面之工序、切断前述引脚及前述吊脚之工序、使用比前述引脚及前述吊脚之厚度为厚之高度空间作为树脂流路,以形成前述封装体,同时前述引脚及前述吊脚在厚度比前述引脚及前述吊脚之厚度为厚之高度空间硬化之树脂部分被切断者。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中在比前述引脚及吊脚之厚度为厚之高度空间外侧设有设于压模金属模之浇口,使树脂通过前述浇口,并流过前述高度空间,以形成前述封装体者。14.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中在比前述引脚及吊脚之厚度为厚之高度空间外侧设有设于压模金属模之出气口,使前述树脂通过前述高度空间,并通过前述出气口者。15.如申请专利范围第9或12项之半导体装置之制造方法,其中准备单位引导框模型纵横整齐排列之矩阵型引脚框作为前述引脚框者。16.如申请专利范围第9或12项之半导体装置之制造方法,其中前述引脚框使用于安装用之焊料系有经过电镀处理者。17.一种制造半导体装置的方法,其包括以下步骤:制备一引脚框,其具有一上表面、一下表面、一框部、朝该框部内部突出的多数引脚以及一配置在该框部中的盆区,其中该盆区系透过盆区吊脚与该框部连接;制备一半导体晶片,其具有一主表面及多数位于该主表面上的电极;将该半导体晶片固定在该盆区的上表面中;分别透过复数条电线使该半导体晶片的电极与该等引脚电气连接;夹住下铸模及上铸模之间的引脚框,形成一第一树脂流路、一第二树脂流路及一腔室,其中该半导体晶片及该等电线都是配置在该腔室之中,而该第一树脂流路则会经由该第二树脂流路与该腔室相连;透过该第一树脂流路及该第二树脂流路灌注熔化的树脂至该腔室内部,并且形成一树脂主体,其具有一固化于该第一树脂流路中的第一部份、一固化于该第二树脂流路中的第二部份以及一固化于该腔室中的第三部份,其中该半导体晶片及该等电线都是密封在该树脂主体的第三部份中;切断该树脂主体的第二部份;切断该等引脚,使得该等引脚与该框部分离;其中该第一树脂流路系位于形成于该上铸模或该下铸模内的沟纹中,其中该树脂主体第二部份的上表面会与该切断部份处的引脚框的上表面等齐或是朝内凹陷,以及其中该树脂主体第二部份的下表面会与该切断部份处的引脚框的下表面等齐或是朝内凹陷。18.一种制造半导体装置的方法,其包括以下步骤:制备一引脚框,其具有一框部、朝该框部内部突出的多数引脚以及一配置在该框部中的盆区,其中该盆区系透过盆区吊脚与该框部连接;制备一半导体晶片,其具有一主表面及多数位于该主表面上的电极;将该半导体晶片固定在该盆区的上表面中;分别透过复数条电线使该半导体晶片的电极与该等引脚电气连接;夹住下铸模及上铸模之间的引脚框,形成一第一树脂流路、一第二树脂流路及一腔室,其中该半导体晶片及该等电线都是配置在该腔室之中,而该第一树脂流路则会经由该第二树脂流路与该腔室相连;透过该第一树脂流路及该第二树脂流路灌注熔化的树脂至该腔室内部,并且形成一树脂主体,其具有一固化于该第一树脂流路中的第一部份、一固化于该第二树脂流路中的第二部份以及一固化于该腔室中的第三部份,其中,该半导体晶片及该等电线都是密封在该树脂主体的第三部份中,而且该等引脚中,每一个都会有一部份从该树脂主体的第三部份曝露出来;切断该树脂主体的第二部份;切断该等引脚,使得该等引脚与该框部分离;其中,该树脂主体的第一部份的上表面会突出至该框部的上表面之上,其中,该树脂主体第二部份的上表面会与该切断部份处的引脚框的上表面等齐或是朝内凹陷,以及其中该树脂主体第二部份的下表面会与该切断部份处的引脚框的下表面等齐或是朝内凹陷。19.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,其中在切断该树脂主体的第二部份的步骤中,其系利用该切割工序将该树脂主体的第一部份与该树脂主体的第三部份分离。20.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,其中该第二树脂流路系形成于该框部之中。21.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,其中该第一树脂流路系位于形成于该上铸模或该下铸模内的沟纹中。22.如申请专利范围第21项之制造半导体装置的方法,其中该沟纹与该腔室边缘彼此相隔。23.如申请专利范围第22项之制造半导体装置的方法,其中该第二树脂流路系形成于该沟纹及该腔室之间。24.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,进一步包括以下步骤:焊接电镀从该树脂主体的第三部份曝露出来的引脚部分。25.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,其中在夹住该引脚框的步骤中形成一连接该腔室的出气口。26.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法,其中该出气口系位于该等引脚侧边所界定的垂直空间中。27.如申请专利范围第18项之制造半导体装置的方法,其中在夹住该引脚框的步骤中,系夹住该下铸模及该上铸模之间第二树脂流路旁边的引脚。图式简单说明:图1(a)、1(b)系表示依本发明之一实施例(实施例一)之半导体装置之制造方法单面压模而成之引脚框部分之示意平面图。图2系表示实施例一之半导体装置之正面图。图3系表示实施例一之半导体装置之平面图。图4系表示实施例一之半导体装置之底面图。图5系表示沿着图3之B-B线之剖面图。图6系表示沿着图3之C-C线之剖面图。图7系表示本实施例一之半导体装置之实施状态之剖面图。图8系表示本实施例一之半导体装置之制造方法之流程图。图9系表示本实施例一之半导体装置之制造方法所使用之引脚框之平面图。图10系表示前述引脚框之单位引脚框模型部分之平面图。图11系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,半导体晶片固定于引脚框而以金属线连接半导体晶片之电极与引脚内端部分之状态之平面图。图12系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,用单面压模法在引脚框之一面形成封装体之状态之平面图。图13系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,在引脚框之一面形成封装体之状态之平面图。图14系表示前述单面压模法之压模金属模所形成之模槽与树脂流路及引脚框之相关性之平面图。图15系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,吊脚与位于该吊脚两侧之浇口硬化树脂及出气口硬化树脂被切断后之引脚框之平面图。图16系表示切断前述浇口硬化树脂等之状态之示意图。图17系表示切断前述浇口硬化树脂等之切断金属模之示意平面图。图18系表示切断前述浇口硬化树脂等之切断金属模之示意剖面图。图19系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,切断沿着X方向延伸之引脚后之引脚框之平面图。图20系表示切断沿着前述X方向延伸之引脚之状态之示意图。图21系表示切断沿着前述X方向延伸之引脚之切断金属模之示意平面图。图22系表示本实施例一之半导体装置之制造方法中,切断沿着Y方向延伸之引脚所得之半导体装置与残留之引脚框部分之平面图。图23系表示切断沿着前述Y方向延伸之引脚之状态之示意图。图24系表示切断沿着前述Y方向延伸之引脚之切断金属模之示意平面图。图25系表示本实施例一中,用引脚与吊脚位于同一平面上之扁平引脚框制造之另一半导体装置之剖面图。图26系表示前述另一半导体装置之底面图。图27系表示依本发明之另一实施形态(实施例二)之半导体装置之制造方法之传递压模状态之示意剖面图。图28系表示本实施例二之半导体装置之制造方法中,用单面压模法所形成之引脚框之示意平面图。图29系表示本实施例二之半导体装置之制造方法中,浇口硬化树脂与出气口硬化树脂及重叠于此之吊脚被切断之状态之示意剖面图。图30(a)、30(b)系表示依本发明之另一实施形态(实施例三)之半导体装置之制造方法之单面压模法所形成之引脚框部分之示意平面图。。图31系表示以往用传递压模法在一面上形成封装体之引脚框之平面图。图32系表示前述引脚框之示意侧面图。图33系表示前述引脚框之浇口硬化树脂及树脂毛边等之示意剖面图。图34系表示以往之吊脚、重叠于吊脚之浇口硬化树脂及出气口硬化树脂被切断之状态之示意图。图35系表示以往之吊脚、重叠于此吊脚之浇口硬化树脂被切断之状态之示意图。图36系表示以往无引脚型半导体装置之制造方法之流程图。图37系表示含浇口压挤工序之无引脚型半导体装置之制造方法之流程图。图38(a)、38(b)系表示前述浇口压挤动作之示意图。 |
