氮化镓系化合物半导体之制造方法

摘要

一种氮化镓系化合物半导体之制造方法，目的系得到一种掺杂有p型杂质之AlGaN膜不需经热锻烧处理，而在as-grown状态下形成低阻抗之p型氮化铝镓铟之有效制造方法。以有机金属气体成长法，在950℃至1100℃之温度范围内，氢气中铟有机金属原料存在下，由铝及镓之有机金属原料成长为掺杂p型杂质之氮化铝镓铟后，使该氮化铝镓铟，在950℃至750℃温度范围之氮气下，成长为掺杂p型杂质之氮化铝镓铟状态，再加以冷却。

主权项

1.一种氮化镓系化合物半导体之制造方法,其特征在于系一种使用有机金属气体成长法制造氮化镓系化合物半导体之方法;首先,使用含有铟、铝、及镓等金属之有机金属原料,在以氢为主要成分之环境中,950℃至1100℃之温度范围下,使掺杂有p型杂质之第1氮化铝镓铟化合物半导体成长后,接着于该氮化铝镓铟化合物半导体层上,在以氮为主要成分之环境中,960℃至750℃之温度范围下,使掺杂有p型杂质之第2氮化铝镓铟化合物半导体成长后,使其自然冷却至常温。