| 主权项 |
1.一种于半导体基板(12)上的金属线(14)之间形成高阶低K材料(32)的方法,包含:提供有复数条金属线(14)在其上的半导体基板(12);沈积旋转涂布材料(18)在有复数条金属线(14)于其上的半导体基板(12)上面;以及至少加热或蚀刻半导体基板(12)两者之一,藉此至少一部分的旋转涂布材料(18)被去除,藉以形成在金属线(14)之间包含至少一空气间隙的高阶低K材料(32),此高阶低K材料有大约2或更小的电介质常数。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该旋转涂布材料(18)是矽酸盐或低K聚合物材料。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基板(12)藉由平坦化基板(12)在约摄氏600到约摄氏1,500度下加热约10秒到5分钟的一段时间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基板(12)藉由将半导体基板(12)与酸性溶液、有机溶液或含有BCl3.CCl4.SiCl4.O2.Cl2.HBr、NF3.SF6.CH3F、CF4.以及CHF3中至少一种的电浆接触而被蚀刻。5.一种形成半导体结构之方法,包含:于半导体基板(12)上形成第一复数条金属线(14);于有复数条金属线(14)在上面的半导体基板(12)上沈积旋转涂布材料(18);于该旋转涂布材料(18)上形成复数个开口,暴露部分之金属线(14)并于该开口沈积金属以形成复数条金属介层洞(24);于至少一部份的介层洞(24)上面形成第二复数条金属线(26);以及至少加热或蚀刻半导体结构(10)之一种,于此去除至少部分的旋转涂布材料(18),藉以形成包含至少一个空气间隙之高阶低K材料(32),该高阶低K材料(32)有电介质常数约为2或较小。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该旋转涂布材料(18)包含氟掺杂矽玻璃(FSG)、四氧乙基矽(TEOS)、磷玻璃(PSG)、硼磷矽玻璃(BPSG)、聚亚醯胺、氟化聚亚醯胺、聚倍半矽氧烷(polysilsequioxane)、苯并环丁烯、聚伸芳基酯(poly(arylene ester))、聚对环二甲苯氟、聚对环二甲苯氮、或者无结晶性聚四氟乙烯。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该半导体结构(10)在约摄氏500度到约摄氏2,000度的温度下加热约2秒到约10分钟。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该半导体结构(10)利用氢氟酸、磷酸、氢溴酸、硼酸、酒精、乙烯酮、酯、乙醚、芳香化合物和烷至少其中之一而被蚀刻。9.一种形成半导体结构(10)的方法,包含:于半导体基板(12)上形成第一复数条金属线(14);于有该复数条金属线(14)其上的半导体基板(12)上面沈积旋转涂布材料(18),其中该旋转涂布材料(18)为矽酸盐或低K聚合物材料;于旋转涂布材料(18)上形成复数个开口,暴露一部份之金属线(14)并在开口沈积金属以形成复数个金属介层洞(24);于该金属介层洞(24)至少部分上面形成第二复数条金属线(26);以及加热半导体结构(10),藉此去除部分之旋转涂布材料(18),藉以形成包含有复数个间隙之可渗透高阶低K材料(32),该可渗透高阶低K材料(32)有电介质常数约1.75或更小,其中该半导体结构(10)在约摄氏700度至约摄氏1,300度之间加热约20秒至约2分钟。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该旋转涂布材料(18)包含氟掺杂矽玻璃(FSG)、四氧乙基矽(TEOS)、磷玻璃(PSG)、硼磷矽玻璃(BPSG)、聚亚醯胺、氟化聚亚醯胺、聚倍半矽氧烷(polysilsequioxane)、苯并环丁烯、聚伸芳基酯(poly(arylene ester))、聚对环二甲苯氟、聚对环二甲苯氮、或者无结晶性聚四氟乙烯。图式简单说明:第1图显示根据本发明概念之一有复数条金属线于其上之半导体基板的剖面图。第2图显示根据本发明概念之一的半导体基板之剖面图。第3图显示根据本发明概念之一的半导体基板之剖面图。第4图显示根据本发明概念之一有复数条金属线与介层洞之半导体基板的剖面图。第5图显示根据本发明概念之一有第一与第二复数条金属线之半导体基板的剖面图。第6A图显示根据本发明概念之一有高阶低K材料之半导体基板的剖面图。第6B图显示根据本发明之另一概念有高阶低K材料之半导体基板的剖面图。第7图显示根据本发明概念之一的高阶低K材料之剖面图。 |
