| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur reaktiven Plasmabehandlung von Substraten (4), bestehend aus einer Vakuumkammer (1) mit mindestens einer Substratanordnung, einer Plasmaquelle, z.B. einer Hochfrequenz-Plasmaquelle mit flächigen Elektroden (8, 9), einem Reaktivgaseinlass (15) und einer Substrat-Heizeinrichtung. Die Vakuumkammer (1) besteht aus einem ersten Raum (6) und einem zweiten Raum (7), die mittels einer Trennwand aus Glas oder Keramik voneinander getrennt sind. Im ersten Raum (6) sind die Substratanordnung sowie der Reaktivgaseinlass (15) und im zweiten Raum (7) die Elektroden (8, 9) der Plasmaquelle und die Substrat-Heizeinrichtung angeordnet. Die Substratanordnung und die Elektroden (8, 9) der Plasmaquelle können parallel zueinander angeordnet sein. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Anwendung einer Einrichtung. Dabei wird mindestens ein Substrat (4) als Substratanordnung in den ersten Raum (6) der Vakuumkammer (1) eingebracht, die Vakuumkammer (1) evakuiert, das Substrat (4) mittels der Substrat-Heizeinrichtung auf eine technologisch vorgegebene Temperatur aufgeheizt und in der Folge zur Abscheidung einer Beschichtung auf dem Substrat (4) oder zur Oberflächenbehandlung der Substrate (4) mittels der Plasmaquelle im ersten Raum (6) ein Plasma erzeugt und ein Reaktivgas eingelassen.</p> |
