| 摘要 |
Die Erfindung schlägt einen Wafer vor, der durch einen Schutzfilm auf einer ersten Oberfläche geschützt ist und der auf einem Basiselement angebracht ist. Ein Ätzbadzylinder, in dem eine Dichtung zum Abdichten der Peripherie des Wafers auf der zweiten Oberfläche in Gegenüberlage zur ersten Oberfläche angebracht ist, kommt auf dem Wafer zu liegen. Eine Ätzkammer ist gebildet durch Unterdruckeinspannung mit einem Unterdruckeinspannzylinder in einem Ätztiegel. Stickstoffgas wird von einer Hochdruckgasversorgungsquelle einem hermetischen Raum zugeführt, der gebildet ist durch das Basiselement und den Wafer unter Regelung durch den Druckregler. Der Druckregler umfasst einen Wasservorratsbehälter, einen Dekompressionsraum mit einer Öffnung, ein erstes Ausgleichsrohr und ein zweites Ausgleichsrohr. Der Wafer wird geätzt, während ein Druck, höher als derjenige, der an die zweite Oberfläche von einem Ätzmittel angelegt ist, an den Schutzfilm durch das Stickstoffgas angelegt wird.
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