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Die vorliegende Erfindung schafft eine Anordnung von Gräben in einem Halbleitersubstrat, insbesondere für Grabenkondensatoren, mit einer Mehrzahl von regelmäßig angeordneten Gräben (G1'-G4'; G1''-G4''), welche sich, ausgehend von einer Oberfläche (O) des Halbleitersubstrats (O), in eine Tiefenrichtung (T) erstrecken; wobei die Gräben (G1'-G4'; G1''-G4'') in der Tiefenrichtung (T) jeweils mindestens einen aufgeweiteten Bereich aufweisen und aufgeweitete Bereiche benachbarter Gräben (G1'-G4'; G1''-G4'') in Tiefenrichtung gegeneinander versetzt sind.
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