| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie ein GaAs-Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur variablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie einen GaAs-HBT zu entwickeln, mit dem die beschriebenen Nachteile des Standes der Technik weitgehend vermieden werden und mit dem variable, einstellbare elektrische Schwingungen ohne externe Beschaltungen erzeugt werden können und welches als ein Frequenzvervielfacher und/oder als Oszillator in einer Schaltung eingesetzt werden kann, wird durch ein Gunn-Effekt-Halbleiter-Bauelement wie ein GaAs-Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur variablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen gelöst, welches einen dicken Kollektor (3) aufweist, wobei in der Basis-Kollektor-Raumladungszone, deren Ausdehnung durch die angelegte Gleichspannung und -strom gesteuert wird, der Gunn-Effekt auftritt, sodass die Oszillationsfrequenz durch den Arbeitspunkt gesteuert wird.</p> |
