Verunreinigungssteuerung für Herstellungsverfahren eingebetteter ferroelektrischer Bauelemente

摘要

Ein Herstellungsverfahren eines ferroelektrischen Bauelements ist beschrieben, bei dem Verunreinigungssubstanzen des ferroelektrischen Bauelements (z. B. Pb, Zr, Ti und Ir), die nicht kompatibel mit Standard-CMOS-Herstellungsverfahren sind, streng gesteuert werden. Inbesondere wurden spezifische Ätzchemien entwickelt, um nicht kompatible Substanzen von der Rückseiten- und Kantenoberfläche des Subtrats zu entfernen, nachdem ein ferroelektrisches Bauelement gebildet wurde. Zusätzlich kann eine Opferschicht über der unteren und der Kantenoberfläche (und bei einigen Ausführungsbeispielen der Vorderseitenkantenausschlußzonenoberfläche) des Substrats angebracht werden, um die Entfernung schwer zu ätzender Verunreinigungsstoffe (z. B. Ir) zu unterstützen. Auf diese Weise kann das Herstellungsverfahren des ferroelektrischen Bauelements in ein Standardhalbleiterherstellungsverfahren integriert werden, wodurch ferroelektrische Bauelemente ohne ein wesentliches Risiko einer gegenseitigen Verunreinigung durch gemeinschaftlich verwendete Ausrüstung (z. B. Schrittgeber, Meßgeräte und dergleichen) gemeinsam mit integrierten Halbleiterschaltungen gebildet werden können.