| 摘要 |
<p>Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Kontrolle des Chalkogenisierungsprozesses anzugeben und dadurch eine Steuerung dieses Prozesses und die Bestimmung seines Endpunktes zu ermöglichen. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, bei dem während der Herstellung die entstehende Schicht mit Licht bestrahlt, das reflektierte Licht detektiert und das in Abhängigkeit von der Zeit aufgenommene Lichtsignal charakteristischen Punkten der Schichtherstellung zugeordnet wird, wobei die Chalkogenid-Halbleiterschicht hergestellt wird, indem zunächst nacheinander die beiden metallischen Vorläuferschichten aus den Elementen A und B aufgebracht werden und anschließend ein Chalkogenisierungsprozess mit gleichzeitiger optischer Prozesskontrolle durchgeführt wird, bei der die Schichtenfolge A, B mit Licht mindestens einer kohärenten Lichtquelle bestrahlt, das an der Oberfläche diffus gestreute Licht detektiert und das in Abhängigkeit von der Zeit gemessene Streulichtsignal derart ausgewertet wird, dass vier signifikanten Punkten der Streulichtsignalkurve charakteristische Änderungen in der entstehenden Schicht während der Chalkogenisierung zugeordnet werden.</p> |
