发明名称 |
掺杂半导体层的方法,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件 |
摘要 |
在优异的控制之下,可以形成一较低浓度杂质扩散区,即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时,由能量束穿透的例如侧壁(24)的掩模形成在半导体层(21)的表面的一部分,掺杂离子(25)吸附在半导体层表面上除了形成掩模的区域之外的区域,并且一能量束EBL辐射到具有形成的掩模的半导体层(21)上,以将掺杂离子引入到半导体层(21)。在例如侧壁(24)的掩模的较低部分,发生横向的扩散,可以在优异的控制之下以优异的重复性形成较低浓度杂质扩散区域。 |
申请公布号 |
CN1401134A |
申请公布日期 |
2003.03.05 |
申请号 |
CN01805083.2 |
申请日期 |
2001.12.14 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
町田晓夫;碓井节夫;达拉姆·P·戈塞恩 |
分类号 |
H01L21/22;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/22 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种掺杂半导体层的方法,包括如下步骤:在半导体层的表面的一部分形成一能量束可穿透掩模;在除了形成掩模的区域之外的半导体层的表面吸附掺杂离子;以及通过将能量束辐射到具有形成的掩模的半导体层上,以将该掺杂离子引入到半导体层。 |
地址 |
日本东京都 |