底栅型薄膜晶体管,其制造方法和使用该晶体管的液晶显示装置

摘要

本发明的目的在于提供一种底栅型薄膜晶体管以及一种该晶体管的制造方法，该方法可以减少TFT制造工艺的负担并由此要求较少的制造成本。提供一种底栅型薄膜晶体管，其中基底层(1)，栅极(2)，栅绝缘膜(3)，以及源和漏极(4，5)以此顺序设置。该晶体管包括一个半导体沟道层(6)，该沟道层在与源和漏极(4，5)相应的相互对立端接触并与栅极结合地形成的同时，与栅绝缘膜露出在源和漏极(4，5)之间的部分接触。该沟道层(6)在源和漏极(4，5)的上平面侧上从相互对立端的一端跨接至另一端。该沟道层(6)与源和漏极(4，5)接触的部分(6c)形成欧姆接触表面层。

主权项

1.一种底栅型薄膜晶体管，其中基底层，栅极，栅绝缘膜，以及源和漏极依此顺序设置，该晶体管包括一个半导体沟道层，该沟道层在与源和漏极相应的相互对立端接触并与栅极结合地形成的同时，与栅绝缘膜露出在源和漏极之间的部分接触，该沟道层在源和漏极的上平面侧上从相互对立端的一端跨接至另一端，该沟道层与源和漏极接触的部分形成欧姆接触表面层。