| 发明名称 | 交叉点阵列中存储单元的隔离 | ||
| 摘要 | 存储器阵列(100)包括位于第一(30)和第二(50)导体的交叉点处的存储单元(10)。存储单元(10)是复合结构，它能够存储数据，能将存储单元(10)和潜通路电流隔离开。存储单元(10)包括隧道栅极表面效应晶体管，该晶体管有不均匀栅极氧化物(14)。栅极氧化物(14)被支撑在柱状二极管结构(12)上。存储单元(10)在栅极氧化物(15)的隧道结(17)中存储二进制状态。另外，晶体管(62)的控制栅极(63)断开隧道结(17)和柱(12)的侧壁的连接，阻止了电流流动。控制栅极(63)因而阻止了潜通路电流通过存储单元(10)。存储单元(10)中的隔离特性不需要衬底上的空间，允许高阵列密度。另外，存储单元(10)有低正向压降，改善了存储器阵列(100)的可读性。 | ||
| 申请公布号 | CN1400664A | 申请公布日期 | 2003.03.05 |
| 申请号 | CN02127076.7 | 申请日期 | 2002.07.26 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | F·A·佩尔纳 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王勇 |
| 主权项 | 1.一种存储单元(10)，包括：P-区(20)；包围P-区(20)的N+区(22)，该P-区(20)和该N+区(22)形成了一个柱(12)；和布置在柱(12)的一端处的栅极氧化物(14)，栅极氧化物(14)包括能够存储二进制状态的部分(17)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||