| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体图像传感器 | ||
| 摘要 | 公开一种CMOS图像传感器，其中电荷存储栅极在光电二极管区域一侧形成以增加每个单元的电荷容量，由此改善器件的特性。CMOS图像传感器包括通过将光的图像信号转变为电信号而产生图像信号电荷的光电二极管区域，和靠近该光电二极管区域形成的电荷存储栅，其中当电荷被产生时，光电二极管区域的电荷被部分地或者全部地转换到在电荷存储栅下面的部分，以及当电荷被读出时存储的电荷被转换到读出节点。 | ||
| 申请公布号 | CN1400665A | 申请公布日期 | 2003.03.05 |
| 申请号 | CN02142909.X | 申请日期 | 2002.07.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 权五凤 |
| 分类号 | H01L27/14 | 主分类号 | H01L27/14 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1一种CMOS图像传感器，包括：通过将光的图像信号转变为电信号产生图像信号电荷的光电二极管区域，和靠近该光电二极管区域形成的电荷存储栅，其中当电荷被产生时，光电二极管区域的电荷被部分地或者全部地转换到在电荷存储栅下面的部分，以及当电荷被读出时存储的电荷被转换到读出节点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||