非挥发性存储器电路

摘要

本发明提供一拥有多个存储单元区块，而每一个存储单元区块包括一条主位线与一条接地位线和多个用来储存资料的存储单元的只读存储器，而该只读存储器至少包含多个用来从连接至主位线的多个存储单元区块做选择的上选择晶体管，和多个用来从连接至接地位线的多个存储单元区块做选择的下选择晶体管，而其中上选择晶体管与下选择晶体管以三明治的型式将多个存储单元区块夹在中间。

主权项

1.一种位于半导体基板上以多个基本存储器电路单元组合而成的非挥发性存储器电路，该基本存储器电路单元包含：四条平行于直行方向上的埋藏位线形成于基板上，分别为第一、第二、第三及第四；多条字符线，该多条字符线与该四条平行埋藏位线交叉，并以互相平行方式排列在横列方向上；存储单元晶体管阵列，以该四条平行埋藏位线和该多条字符线交叉点形成晶体管源极和漏极，来形成该存储单元晶体管阵列，该交叉点间为该存储单元晶体管的信道长度，该存储单元晶体管栅极连接该字符线；其特征在于该基本存储器电路单元至少还包含：一条拥有两端点的埋藏主位线独立于该四条平行埋藏位线形成于基板上，其中该埋藏主位线的第一端点以直行方向接续于该第二埋藏位线的第一端点，其间以第一间格相离，而该埋藏主位线的第二端点以直行方向接续于该第四埋藏位线的第一端，其间以第二间格相离；一条拥有两端点的埋藏接地位线独立于该四条平行埋藏位线形成于基板上，其中该埋藏接地位线的第一端点以直行方向接续于该第四埋藏位线的第二端其间以第三间格相离，而该埋藏接地位线的第二端点以直行方向接续于下一个该非挥发性存储器电路单位中第二埋藏位线的第二端其间以第四间格相离；两条互相平行于横列方向上的上选择位线，分别为第一及第二，该第一上选择位线以横列方向跨过该第一间格、该第三埋藏位线和该埋藏主位线，其中该第一上选择位线和该主位线的第一端交叉点，和该第二埋藏位线的第一端交叉点分别形成选择晶体管源极和漏极而以该第一间格为信道区；该第二上选择位线以横列方向跨过该第二、该第三埋藏位线和该第二间格，其中该第二上选择位线和该主位线的第二端交叉点，和该第四埋藏位线的第一端交叉点分别形成选择晶体管源极和漏极而以该第二间格为信道区；以及两条互相平行于横列方向上的下选择位线，分别为第一及第二，该第一下选择位线以横列方向跨过该第三间格及下一该非挥发性存储器电路单位中第一和第二埋藏位线，其中该第一下选择位线和该接地位线的第一端交叉点，和该第四埋藏位线的第二端交叉点分别形成选择晶体管源极和漏极而以该第三间格为信道区；该第二下选择位线以横列方向跨过该接地位线及下一该非挥发性存储器电路单位中的第一埋藏位线及第四间格，其中该第二下选择位线和该接地位线的该第二端交叉点，和该下一该非挥发性存储器电路单位中该第二埋藏位线的该第二端交叉点分别形成选择晶体管源极和漏极而以该第四间格为信道区。