阻抗电路和移相器

摘要

本发明是有关于一阻抗电路与一移相器。这些阻抗电路与移相器可运用在一可应用于例如一无线电接收器、一电视接收器、一人造卫星广播接收器、一录影机、一行动通信设备等之积体电路。本发明系提供甚至可在低电源供应电压下操作并亦可在广泛的频率范围稳定操作的一移相器。再者，可提供对应于能运用在此移相器的基本电路配置之一阻抗电路。当彼此相对应的电晶体(Q1、Q3)与(Q2、 Q4)彼此串联，以藉此形成一第一差动对电晶体与一第二差动对电晶体，因为此一第一差动对(Q1、Q2)的电流是分路的，而且该分路电流以逆极性将该第二差动对电晶体(Q3、 Q4)驱动，所以当从该第一差动对电晶体(Q1、Q2)的输入端看进去的时候，一想要的阻抗便要以该第一差动对电晶体(Q1、Q2)射极出现的阻抗(13、14)可由该第二差动对电晶体(Q3、Q4)射极出现的另一阻抗(15、16)抵消的方式形成。而且，此阻抗系设定为一电容阻抗。

主权项

1.一种半导体电路,包括:一第一差动放大器,其是由一第一电晶体(Q1)与一第二电晶体(Q2)构成,该等电晶体的集极系连接一至信号源(Vin、-Vin);以及一第二差动放大器,其是由一第三电晶体(Q3)与一第四电晶体(Q4)构成,其特征为:该第三电晶体(Q3)的集极系连接至该第一电晶体(Q1)的射极,而且第三电晶体(Q3)的该集极系连接至该第四电晶体(Q4)的基极;该第四电晶体(Q4)的集极系连接至该第二电晶体(Q2)的射极,而且第四电晶体(Q4)的该集极系连接至该第三电晶体(Q3)的基极;以及具有一预定阻抗之一第一电路(10)是在该第三电晶体(Q3)的射极与该第四电晶体(Q4)的射极之间连接。2.如申请专利范围第1项之半导体电路,其特征为:该信号源包括一第一信号源(Vin)与一第二信号源(-Vin),而且该第一信号源与该第二信号源是以互补方式操作。3.如申请专利范围第1项之半导体电路,其特征为进一步包括:一第五电晶体(Q5),其基极系连接至该第一电晶体(Q1)的集极,而且其射极系连接至该第一电晶体(Q1)的基极;以及一第六电晶体(Q6),其基极系连接至该第二电晶体(Q2)的集极,而且其射极亦连接至该第二电晶体(Q2)的基极。4.如申请专利范围第1项之半导体电路,其特征为进一步包括:一第五电晶体(Q5),其基极系连接至该第二电晶体(Q2)的集极,而且其射极系连接至该第一电晶体(Q1)的基极;以及一第六电晶体(Q6),其基极系连接至该第一电晶体(Q1)的集极,而且其射极亦连接至该第二电晶体(Q2)的基极。5.如申请专利范围第1项之半导体电路,其特征为进一步包括:第七与第八电晶体(Q7,Q8),其是在该信号源(Vin,-Vin)与该等第一及第二电晶体(Q1.Q2)的集极之间串联;一第九电晶体(Q9),其集极系连接至该第八电晶体(Q8)的集极,而且其射极系连接至该第一电晶体(Q1)的集极;以及一第十电晶体(Q10),其集极系连接至该第七电晶体(Q7)的集极,而且其射极系连接至该第二电晶体(Q2)的集极;而且其特征为:一控制的电源供应(VK),其系连接至该等第七、第八、第九、与第十电晶体(Q7.Q8.Q9.Q10)的基极。6.如申请专利范围第5项之半导体电路,其特征为:该第一电路是一电容。7.如申请专利范围第4项之半导体电路,其特征为进一步包括:第七和第八电晶体(Q7.Q8)是该信号源(Vin、-Vin)与该等第一及第二电晶体(Q1.Q2)的集极之间串联;一第九电晶体(Q9),其集极系连接至该第八电晶体(Q8)的集极,而且其射极亦连接至该第一电晶体(Q1)的集极;以及,一第十电晶体(Q10),其集极系连接至该第七电晶体(Q7)的集极,而且其射极亦连接至该第二电晶体(Q2)的集极;而且其特征为:一控制的电源供应(VK),其连接至该等第七、第八、第九、与第十电晶体(Q7.Q8.Q9.Q10)的基极。8.一种半导体电路,包括:一第一差动放大器,其是由一第一电晶体(Q1)与一第二电晶体(Q2),该等电晶体的基极系连接至一信号源(Vin、-Vin):以及一第二差动放大器,其是由一第三电晶体(Q3)与一第四电晶体(Q4)构成,其特征为:该第三电晶体(Q3)的一集极系连接至该第一电晶体(Q1)的一射极,而且第三电晶体(Q3)的该集极系连接至该第四电晶体(Q4)的一基极;该第四电晶体(Q4)的一集极系连接至该第二电晶体(Q2)的一射极,而且第四电晶体(Q4)的该集极系连接至该第三电晶体(Q3)的一基极;以及具有一预定阻抗之一第一电路(10)是在该第三电晶体(Q3)的射极与该第四电晶体(Q4)的射极之间连接。9.如申请专利范围第8项之半导体电路,其特征为:该第一电路是一电容。10.如申请专利范围第8项之半导体电路,其特征为:该信号源包括一第一信号源(Vin)与一第二信号源(-Vin),而且该第一信号源与该第二信号源是以互补方式操作。11.如申请专利范围第8项之半导体电路,其特征为:该第一电晶体(Q1)与该第二电晶体(Q2)的相对集极系经由一负载而连接至一电源供应。图式简单说明:图1是一传统移相器之电路图。图2系根据本发明的一第一具体实施例模式而显示一阻抗电路电路图;图3是用来解释图2的阻抗电路之电路图;图4系根据本发明的一第二具体实施例模式而表示一阻抗电路的电路图图5系根据本发明的一第三具体实施例模式而表示一阻抗电路的电路图;以及图6系根据本发明的一第四具体实施例模式而表示一移相器的电路图。