| 主权项 |
1.一种反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之反射式衰减相位偏移光罩系由高反射区和吸收层图样所组成之复层结构,其特征在于所述高反射区域是由多层膜结构所组成。2.如申请专利范围第1项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之吸收层图样,其材料可为锗和其他适用之吸收层,如金、镍、钽和铝其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之吸收层图样可经由控制其厚度达到反射式衰减相位偏移光罩的需求。4.如申请专利范围第1项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其所述反射式衰减相位偏移光罩的需求为控制反射光相位偏移1805度,与反射光强度比为4~15%。5.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之吸收层厚度,在钼/矽多层膜反射架构下,其垂直入射的状况中,覆盖的锗吸收层厚度为43.47~43.93nm,及50.48~50.67nm时,此架构可满足入射于光罩膜层与多层膜的反射镜架构时产生1805度的相位偏移与4~15%比例的光强度比的目的。6.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之吸收层图样厚度,在钼/矽多层膜反射架构下,其入射角5度,垂直偏极光的状况中,覆盖的锗吸收层厚度为30.36-30.55nm,37.13~37.32nm,43.90~44.09nm及50.67~50.86nm时,此架构可满足入射于光罩膜层与多层膜的反射镜架构时产生1805度的相位偏移与4~15%比例的光强度比的目的。7.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,在垂直偏极光的状况中,其中所述之吸收层图样厚度,在钼/矽多层膜反射架构下,其入射角10度,当覆盖的锗吸收层厚度为30.68 ~ 30.87nm,37.52 ~ 37.71nm及43.36 ~ 44.55nm时,此架构可满足入射于光罩膜层与多层膜的反射镜架构时产生1805度的相位偏移与4~15%比例的光强度比的目的。8.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之吸收层图样厚度,在钼/矽多层膜反射架构下,其入射角10度,水平偏极光的状况中,当覆盖的锗吸收层厚度为31.46~31.65nm,38.31 ~38.50nm及45.36~45.17nm时,此架构可满足入射于光罩膜层与多层膜的反射镜架构时产生1805度的相位偏移与4~15%比例的光强度比的目的。9.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之反射式衰减相位偏移光罩架构,垂直与水平偏极入射光入射于光罩膜层与多层膜的反射镜架构亦可达到1805度的相位偏移与4~15%比例的光强度比的目的。10.如申请专利范围第3项所述之反射式衰减相位偏移光罩,其中所述之反射式衰减相位偏移光罩架构,不同厚度之吸收层亦可应用于控制不同光相位偏移量与不同反射光强度比。图式简单说明:第1图所显示的是习知的穿透式的衰减相位偏移光罩的剖面图。第2图所显示的是反射式的衰减相位偏移光罩的剖面图。第3图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角0度时的反射率关系图第4图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角0度时的相位关系图第5图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角5度时的反射率关系图第6图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角5度时的相位关系图第7图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角10度时的反射率关系图第8图所显示的是锗吸收层厚度与垂直偏极光在入射角10度时的相位关系图第9图所显示的是锗吸收层厚度与水平偏极光在入射角10度时的反射率关系图第10图所显示的是锗吸收层厚度与水平偏极光在入射角10度时的相位关系图 |
