发明名称 晶圆全表面压力相关零件的压力分布量测与回馈方法
摘要 一种晶圆全表面压力相关零件的压力数据分布量测与回馈方法,可用来建立压力资料回馈控制程序以便于各种晶圆表面压力相关零件(如:化学机械研磨装置的晶圆夹持装置及研磨垫及传送晶圆的机械手臂)的产品开发、检测诊断、维护控制。这种压力分布量测方法的步骤为:首先,提供一用以固持或传送晶圆之压力相关零件、并在上述压力相关零件与晶圆的组合中覆盖一层压力感测薄膜。接着,使上述压力相关零件的组合操作于各种条件下,藉以对上述压力感测薄膜施行不同程度的压力,进而得到对应各种条件的图像资料。如此,图像资料便可以透过扫描器或数位相机撷取,并利用模拟处理器进行比对,藉以模拟上述压力相关零件在各种操作条件下的压力分布,并透过回馈修正系统以修改晶圆压力零件之设计或工作条件以提高晶圆的制程品质。
申请公布号 TW522500 申请公布日期 2003.03.01
申请号 TW088112770 申请日期 1999.07.28
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 林启发
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种取得晶圆全表面压力相关零件的压力分布数据的方法,包括:提供一压力相关零件及一晶圆;覆盖一压力感测薄膜于该压力相关零件与该晶圆的组合中;使该压力相关零件在各种条件下动作,藉以对该压力感测薄膜进行不同程度的施压,进而得到对应各种条件的压力图像资料;以及将该些图像资料数位化,藉由数位模拟器产生该压力相关零件在各种条件下的压力分布。2.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该压力感测薄膜具有两聚合物薄膜,其表面分别覆盖有一显色材料层及一感色材料层,且该两聚合物薄膜是以该两覆盖表面彼此接合。3.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该压力感测薄膜具有一聚合物薄膜,其表面依序覆盖有一感色材料层及一显色材料层。4.如申请专利范围第2或3项所述的压力分布量测方法,其中,该显色材料层是由复数含有显色材料的微色胞所组成。5.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该压力相关零件为化学机械研磨装置的晶圆夹持装置。6.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该压力相关零件为化学机械研磨装置的研磨垫。7.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该压力相关零件为晶圆传送装置。8.如申请专利范围第7项所述的压力分布量测方法,其中,该晶圆传送装置为机器手臂。9.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该图像资料是由一扫描器扫描该压力感测薄膜以得到。10.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该些图像资料是由一数位相机对该压力感测薄膜照相以得到。11.如申请专利范围第1项所述的压力分布量测方法,其中,该些图像资料是由一影像处理装置数位化。12.如申请专利范围第11项所述的压力分布量测方法,其中,该数位化压力分布资料是由一模拟处理器以模糊比对,回归分析等方法获得。13.一种取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,包括:设一元件及一晶圆;覆盖一压力感测薄膜于该元件与该晶圆的组合中;使该元件在各种条件下动作,藉以对该压力感测薄膜进行不同程度的施压,进而得到对应各种条件的压力图像资料;将该些图像资料数位化,藉由数位模拟器产生该元件在各种条件下的压力分布;以及对各种条件下的压力分布各别运算其压力平均値分布图,藉以取得各种条件之压力平均値分布图的变化曲线,以模拟运算器计算出最佳补偿値。14.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该压力感测薄膜具有两聚合物薄膜,其表面分别覆盖有一显色材料层及一感色材料层,且该两聚合物薄膜是以该两覆盖表面彼此接合。15.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该压力感测薄膜具有一聚合物薄膜,其表面依序覆盖有一感色材料层及一显色材料层。16.如申请专利范围第14或15项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该显色材料层是由复数含有显色材料的微色胞所组成。17.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该压力相关零件为化学机械研磨装置的晶圆夹持装置。18.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该压力相关零件为化学机械研磨装置的研磨垫。19.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该压力相关零件为晶圆传送装置。20.如申请专利范围第19项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该晶圆传送装置为机器手臂。21.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该图像资料是由一扫描器扫描该压力感测薄膜以得到。22.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该些图像资料是由一数位相机对该压力感测薄膜照相以得到。23.如申请专利范围第13项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该些图像资料是由一影像处理装置数位化。24.如申请专利范围第23项所述的取得压力表面压力相关零件之压力控制条件补偿数据的方法,其中,该数位化压力分布资料是由一模拟处理器以模糊比对,回归分析等方法获得。图式简单说明:第1图是习知化学机械研磨装置的示意图;第2A及2B图是习知晶圆传送装置的示意图;第3A及3B图是本发明化学机械研磨装置中晶圆夹持装置及研磨垫的压力分布量测方法的示意图;第4A及4B图是本发明晶圆传送装置的压力相关零件的示意图;第5A及5B图是本发明压力感测薄膜的剖面图;以及第6图是本发明晶圆全表面压力相关零件的压力数据分布量测方法的流程图。
地址 新竹科学工业园区研新三路四号