有机电激发光元件

摘要

本发明系具有一对之电极与这些电极间所挟持之有机发光媒体层之有机电激发光元件，该有机发光媒体层具有含有(A)至少一种正孔传输性化合物与(B)至少一种电子传输性化合物之混合层，前述正孔传输性化合物之能隙Eg1与前述电子传输性化合物之能隙Eg2满足 Eg1

主权项

1.一种有机电激发光元件,系具有一对之电极与这些电极间所挟持之有机发光媒体层之有机电激发光元件,其特征为该有机发光媒体层为具有含有重量比8:92~92:8之(A)至少一种正孔传输性化合物与(B)至少一种电子传输性化合物之混合层,前述正孔传输性化合物之能隙Eg1与前述电子传输性化合物之能隙Eg2满足Eg1Af2的关系,且Ev=IP2-IP1与Ec′=Af1-Af2满足Ev≧Ec′之关系。5.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中前述正孔传输性化合物系具有缩合环之芳香族胺。6.如申请专利范围第5项之有机电激发光元件,其中前述芳香族胺系以下述一般式(1)表示,(式中,Ar1~Ar4系分别独立之取代或未取代之碳数6~40之芳香族烃基、取代或未取代之碳数3~40之芳香族杂环基,Y系表示取代或未取代之碳数2~60之芳香族残基,但是Ar1~Ar4及Y中至少一个含有环数为3以上之缩合环基、Ar1~Ar4及Y之取代基可与Ar1~Ar4及Y中任两个形成环)。7.如申请专利范围第5项之有机电激发光元件,其中前述芳香族胺系以下述一般式(2)表示,(式中,Ar1~Ar6系分别独立之取代或未取代之碳数6~40之芳香族烃基、取代或未取代之碳数3~40之芳香族杂环基,Z系表示取代或未取代之碳数3~60之芳香族残基,但是Ar1~Ar6及Z中至少一个含有环数为3以上之缩合环基、Ar1~Ar6及Z之取代基可与Ar1~Ar6及Z中任两个形成环)。8.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中前述电子传输性化合物为含氮杂环化合物或含氮错合物。9.如申请专利范围第8项之有机电激发光元件,其中含氮杂环化合物为以下述一般式(3)表示,M-AmBn (3)(式中M为1~3价之金属,A为含氮配位基,B为未含氮配位基,m为1~4之整数,n为0~2之整数,m+n≦4)。10.如申请专利范围第9项之有机电激发光元件,其中前述含氮配位基为以下述一般式(4)表示,[式中、R2~R7系相互独立之氢原子、卤原子、羟基、取代或未取代之胺基、硝基、氰基、取代或未取代之碳数1~30之烷基、取代或未取代之碳数2~30之链烯基、取代或未取代之碳数5~30之环烷基、取代或未取代之碳数1~30之烷氧基、取代或未取代之碳数6~40之芳香族烃基、取代或未取代之碳数3~40之芳香族杂环基、取代或未取代之碳数7~40之芳烷基、取代或未取代之碳数6~40之芳氧基、取代或未取代之碳数2~40之烷氧碳基或羧基,R2~R7可与其中两个形成环]。11.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中前述电子传输性化合物为以下述一般式(5)或(6)表示,A1-L-A2 (5)(式中A1及A2系分别独立之取代或未取代之一苯基基或取代或未取代之二苯基基,这些彼此可相同或不同,L为单键或二价之连结基)A3-An-A4 (6)(式中An系取代或未取代之残基,A3及A4系分别独立之取代或未取代之碳数10~40之缩合芳香族环基或取代或未取代之碳数12~40之非缩合环系之芳基,这些彼此可相同或不同)。12.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中电子传输性化合物为含Si环衍生物。13.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中前述有机发光媒体层之混合层进一步含有(C)萤光性化合物。14.如申请专利范围第13项之有机电激发光元件,其中前述有机发光媒体层之混合层含有重量比100:1~10:1之(A)成分与(B)成分之合计量,与(C)成分。15.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中一对电极之至少一面上设置硫化物层、卤化金属层或金属氧化物层。16.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中在一对电极之至少一表面设置还原性掺杂剂与电子传达化合物之混合领域或氧化性掺杂剂与正孔传达化合物之混合领域。17.如申请专利范围第1项之有机电激发光元件,其中具有将正孔注入前述有机发光媒体层之阳极之功函数WF与前述正孔传输性化合物之离子化能IP1满足IP1-WF≦0.2eV的关系。18.一种有机电激发光元件,其系具有一对之电极与这些电极间所挟持之有机发光媒体层之有机电激发光元件,其特征为该有机发光媒体层具有含有(A)至少一种正孔传输性化合物与(B)至少一种电子传输性化合物之混合层,前述正孔传输性化合物之能隙EgI与前述电子传输性化合物之能隙Eg2满足Eg1