发明名称 半导体组件用密封涂覆遮罩及其使用方法
摘要 用于半导体组件的密封涂覆遮罩及其使用方法,密封涂覆遮罩具有开口,开口系位于半导体组件安装于接线板上的位置处。涂覆遮罩具有延着开口的整个周边形成之环形凸出部。在环形凸出部的整个周边之至少部份与接线板的前表面之间形成约0.01至0.5mm的空隙。涂覆遮罩也包含形成于密封涂覆遮罩的背面上之间隔部份似切断环形凸出部外面的密封材料。涂覆遮罩系用以将密封半导体组件之材料强制地涂敷于接线板的前表面。
申请公布号 TW522528 申请公布日期 2003.03.01
申请号 TW088108552 申请日期 1999.05.25
申请人 松下电工股份有限公司 发明人 日野裕久;福井太郎;北村贤次
分类号 H01L23/02 主分类号 H01L23/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种用于半导体组件之密封涂覆遮罩,包括:开口,位于半导体组件安装于接线板上的位置处;环形凸出部,延着开口的整个周边形成,在环形凸出部的整个周边的至少部份与接线板的前表面之间形成约0.01至0.5mm的空隙;及间隔部份,形成于密封涂覆遮罩的背面上以切断环形凸出部外面的密封材料,涂覆遮罩系用以强制地涂敷密封半导体组件之材料于接线板的前表面中。2.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,间隔部份会与密封涂覆遮罩的外部相通,间隔部份未涂敷密封材料。3.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,环形凸出部包括凸出的长方形框,该长方形框于其每一相对的角落处均具有空隙。4.如申请专利范围第2项之密封涂覆遮罩,环形凸出部包括凸出的长方形框,该长方形框于其每一相对的角落处均具有空隙。5.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,环形凸出部延着其整个周边形成有空隙。6.如申请专利范围第2项之密封涂覆遮罩,环形凸出部延着其整个周边形成有空隙。7.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,环形凸出部系由树脂形成。8.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,又包括从间隔部份延伸至密封涂覆遮罩的外部之泄漏通道。9.如申请专利范围第8项之密封涂覆遮罩,泄漏部份从间隔部份的中心延伸。10.如申请专利范围第8项之密封涂覆遮罩,泄漏部份从间隔部份的边缘延伸。11.如申请专利范围第1项之密封涂覆遮罩,环形凸出部份系由约0.05至0.5mm厚的薄檐状板所形成。12.如申请专利范围第11项之密封涂覆遮罩,檐的前端系卷曲的。13.一种使用用于半导体组件的密封涂覆遮罩之半导体装置制造方法,包括:将半导体组件安装于接线板上;将涂覆遮罩覆盖于接线板上,涂覆遮罩系覆盖成半导体组件位于开口内部;使用挤压器以将密封材料经由涂覆遮罩开口强制地涂敷于接线板的前表面上以便将半导体组件密封于接线板上;及将遮罩从接线板释放。14.如申请专利范围第13项之制造方法,包括:在覆盖之后降低周遭压力;及在涂敷之后,周遭压力恢复至大气压力。15.如申请专利范围第14项之制造方法,在涂敷期间,降低的周遭压力不高于0.7kPa,然后,在不小于0.7 kPa的降低压力下,重覆涂敷以完成涂敷密封材料。16.如申请专利范围第14项之制造方法,在涂敷期间.降低的周遭压力不高于0.7kPa,然后,在大气压力下,重覆涂敷以完成涂敷密封材料。17.如申请专利范围第13项之制造方法,覆盖、供应、及涂敷系发生于真空室中。18.如申请专利范围第14项之制造方法,真空室系用以在覆盖之后降低周遭气压及在涂敷之后将周遭压力恢复至大气压。19.如申请专利范围第13项之制造方法,环形凸出部延着开口的整个周边形成,在环形凸出部的整个周边之至少部份与接线板的前表面之间形成约0.01至0.5mm之空隙,在正常压力下强制地涂敷密封材料。图式简单说明:图1系部份后视图,显示根据发明之遮罩的实施例;图2(a)系II-II剖面视图,显示使用图1的遮罩之方式;图2(b)系藉由使用遮罩而取得的密封型半导体装置之部份侧剖面视图;图2(c)系使用遮罩而取得的密封型半导体装置的部份平面视图;图3系部份侧剖面视图,显示根据发明的遮罩之另一实施例;图4(a)系侧剖面视图,显示遮罩的环形凸出部的范例配置,其中环形凸出部份由不同于遮罩本体的材料所形成;图4(b)系侧剖面视图,显示遮罩的环形凸出部的范例配置,其中遮罩系由板材料及覆盖于其上凸出似屋檐的薄板材料所构成以形成环形凸出部;图4(c)系侧剖面视图,显示遮罩的环形凸出部范例配置,其中檐的前端系卷曲的;图5(a)及5(b)系后视图,显示图3的遮罩部份之二范例;图6(a)-6(e)系部份侧剖面视图,显示五种形式的遮罩间隔部份;图7(a)及7(b)系部份侧剖面视图,显示二种形式的遮罩泄漏通道;图8系侧视图,显示根据发明之制造半导体装置的方法之实施例;图9系侧视图,显示根据发明之制造半导体装置的方法之另一实施例;图10系侧视图,显示根据发明之制造半导体装置的方法之又另一实施例;图11(a)系部份侧剖面视图,显示传统遮罩的使用方式;图11(b)系使用此遮罩而取得的密封型半导体装置之部份侧剖面视图;图12(a)-12(c)系部份侧剖面视图,显示使用传统遮罩时造成的问题点;图12(d)系部份平面视图,显示使用传统遮罩时造成的问题点;图13系另一传统遮罩的部份侧剖面视图;图14系又另一传统遮罩的部份侧剖面视图;图15(a)系部份侧剖面视图,显示当在减压下使用图14的遮罩时所产生的问题点;图15(b)系在减压下使用图14的遮罩所取得之密封型半导体装置的部份侧剖面视图;图16(a)系部份侧剖面视图,解释又另一传统遮罩的问题点;及图16(b)系所使用的图16(a)之遮罩的部份侧剖面视图。
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