主权项 |
1.一种可检测反射面品质的快速加热装置,系包含:一快速加热反应室,其中包含一基质承托装置用以承接一基质之外缘,使该基质在该快速加热反应室中进行加热,其中该基质包含第一表面与第二表面;一辐射加热光源,大体正对该基质之第一表面以加热该基质;一反射元件,位于该快速加热反应室中,其尺寸大体全等于该基质,并平行面对该基质之第二表面一既定距离;以及一反射品质检测器,设置于该快速加热反应室中,用以入射一能量于该反射元件之该反射面上,并在反射路径上之一既定位置接受一反射能量。2.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该反射元件包含一反射面与至少一检测单元,其中,该检测单元座落于该反射面中之既定位置,用以接收该基质受热后由该第二表面直接入射或间接反射之辐射能量。3.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该基质为矽晶圆。4.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该反射面为全反射表面。5.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该反射品质检测器包含至少一发射器与至少一接收器,其中该发射器以至少一路径发射能量至该反射面,而该接收器设置于反射路径上以接收与量测该反射能量,并计算该入射与反射能量之比値。6.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该反射品质检测器在该基质完成快速加热反应并移出该快速加热反应室后启动。7.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中该反射品质检测器发射之能量为雷射光。8.根据申请专利范围第1项所述之可检测反射面品质的快速加热装置,其中当该反射能量小于75%的该入射能量时,则发出一警示通知。9.一种检测反射面品质的方法,适用于一快速加热装置,其中该快速加热装置中包含一反射元件,该反射元件包含一反射面与至少一检测单元,该检测单元座落于该反射面中之既定位置,用以接收一基质在该快速加热装置受热后,入射或间接反射至该反射表面之辐射能量,系包含下列步骤:放置一基质于该快速加热装置中进行一快速加热制程;该反射元件接收该基质之辐射热能以计算该基质目前温度;当该快速加热制程完成时,移出该基质;入射至少一能量至该反射面,并在一既定路径接收并量测一反射能量;以及比较该入射与反射能量,当该反射能量小于该入射能量一既定比例时,则该反射面品质低于标准。10.根据申请专利范围第9项所述之检测反射面品质的方法,其中该基质为矽晶圆。11.根据申请专利范围第9项所述之检测反射面品质的方法,其中该发射之能量为雷射光。12.根据申请专利范围第9项所述之检测反射面品质的方法,其中当该反射能量小于75%的该入射能量时,则该反射面品质低于标准。13.根据申请专利范围第9项所述之检测反射面品质的方法,其中当该反射面品质低于标准时,可发出一警示通知。图式简单说明:第1a与1b图所示为习知的一种快速加热装置结构图。第2图所示习知的一种量测晶圆温度的装置。第3a与3b图所示为依据本发明之一实施例之可量测反射面之反射率之快速加热装置结构图。第4图所示为依据本发明之一实施例,藉由如第3a图所示之可检测反射面品质的快速加热装置,检测其反射面之方法。 |