| 主权项 |
1.一种高频切换电路,包括:复数高频端子,输出入高频信号;以及复数高频半导体开关部,设置在连接这些高频端子之配线,其特征在于:在高频切换电路,该复数高频半导体开关部在直流状态彼此分离,又在构造上和作用于控制侧之直流电位处于相反之关系之直流电位作用于该复数高频半导体开关部各自之输入侧及输出侧之至少一方。2.如申请专利范围第1项之高频切换电路,其中,该复数高频半导体开关部各自由在该高频端子间连接了汲极及源极之电场效应电晶体构成,又利用电容元件将该复数高频半导体开关部彼此分离,此外,和作用于闸极之直流电位处于相反之关系之直流电位作用于该汲极及该源极之至少一方。3.如申请专利范围第1项之高频切换电路,其中,该复数高频半导体开关部各自由在该高频端子间串接了汲极及源极之复数电场效应电晶体构成,又利用电容元件将该复数高频半导体开关部彼此分离,此外,和作用于闸极之直流电位处于相反之关系之直流电位作用于位于该复数电场效应电晶体之两端之该汲极及该源极之至少一方。4.一种高频切换电路,包括:第一至第三高频端子,输出入高频信号;第一高频半导体开关部,开闭该第三高频端子和该第一高频端子之间;第二高频半导体开关部,开闭该第三高频端子和该第二高频端子之间;第一切换信号端子,控制该第一高频半导体开关部之开闭动作;第二切换信号端子,控制该第二高频半导体开关部之开闭动作;直流电位分离部,接在该第三高频端子和该第一及第二高频半导体开关部之间,而且在直流状态将该第一高频半导体开关部和该第二高频半导体开关部分离;第一电位传达电路,接在该第二切换信号端子和该第一高频端子之间,而且供给该第一高频端子作用于该第二切换信号端子之直流电位;以及第二电位传达电路,接在该第一切换信号端子和该第二高频端子之间,而且供给该第二高频端子作用于该第一切换信号端子之直流电位。5.一种高频切换电路,包括:第一至第四高频端子,输出入高频信号;第一高频半导体开关部,开闭该第一高频端子和该第二高频端子之间;第二高频半导体开关部,开闭该第二高频端子和该第三高频端子之间;第三高频半导体开关部,开闭该第三高频端子和该第四高频端子之间;第四高频半导体开关部,开闭该第四高频端子和该第一高频端子之间;第一切换信号端子,控制该第一及第三高频半导体开关部之开闭动作;第二切换信号端子,控制该第二及第四高频半导体开关部之开闭动作;第一直流电位分离部,接在该第一高频端子和该第四及第一高频半导体开关部之间,而且在直流状态将该第四高频半导体开关部和该第一高频半导体开关部分离;第二直流电位分离部,接在该第二高频端子和该第一及第二高频半导体开关部之间,而且在直流状态将该第一高频半导体开关部和该第二高频半导体开关部分离;第三直流电位分离部,接在该第三高频端子和该第二及第三高频半导体开关部之间,而且在直流状态将该第二高频半导体开关部和该第三高频半导体开关部分离;第四直流电位分离部,接在该第四高频端子和该第三及第四高频半导体开关部之间,而且在直流状态将该第三高频半导体开关部和该第四高频半导体开关部分离;第一电位传达电路,接在该第二切换信号端子和在该第一高频半导体开关部之输入侧及输出侧之至少一方之间,而且供给该输入侧及输出侧之至少一方作用于该第二切换信号端子之直流电位;第二电位传达电路,接在该第一切换信号端子和在该第二高频半导体开关部之输入侧及输出侧之至少一方之间,而且供给该输入侧及输出侧之至少一方作用于该第一切换信号端子之直流电位;第三电位传达电路,接在该第二切换信号端子和在该第三高频半导体开关部之输入侧及输出侧之至少一方之间,而且供给该输入侧及输出侧之至少一方作用于该第二切换信号端子之直流电位;以及第四电位传达电路,接在该第一切换信号端子和在该第四高频半导体开关部之输入侧及输出侧之至少一方之间,而且供给该输入侧及输出侧之至少一方作用于该第一切换信号端子之直流电位。6.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该直流电位分离部由电容元件构成,该电容元件与该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之一方之该高频半导体开关部之间及该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之另一方之该高频半导体开关部之间之至少一方连接。7.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该直流电位分离部包括:电场效应电晶体,在该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之一方之该高频半导体开关部之间连接汲极及源极;电场效应电晶体,在该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之另一方之该高频半导体开关部之间连接汲极及源极;以及电阻元件,接在该各电场效应电晶体之闸极和该切换信号端子之间8.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该直流电位分离部包括:电场效应电晶体,在该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之一方之该高频半导体开关部之间连接汲极及源极;电场效应电晶体,在该直流电位分离部所连接之该高频端子和该直流电位分离部所连接之另一方之该高频半导体开关部之间连接汲极及源极;电阻元件,接在该各电场效应电晶体之闸极和该切换信号端子之间;以及电阻元件,接在该各电场效应电晶体之该汲极和该源极之间。9.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该高频半导体开关部包括:电场效应电晶体,在利用该高频半导体开关部开闭之该高频端子间连接汲极及源极;电阻元件,接在该电场效应电晶体之闸极和控制该高频半导体开关部之该切换信号端子之间;以及电阻元件,接在该汲极及该源极之间。10.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该高频半导体开关部包括:复数电场效应电晶体,在利用该高频半导体开关部开闭之该高频端子间串接汲极及源极;复数电阻元件,各自接在这些电场效应电晶体之闸极和控制该高频半导体开关部之该切换信号端子之间;以及复数电阻元件,各自接在该汲极及该源极之间。11.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该电位传达电路由电阻元件构成。12.如申请专利范围第4或5项之高频切换电路,其中,该电位传达电路由串接之电阻元件和电感元件构成。13.如申请专利范围第1.4或5项之高频切换电路,其中,该高频切换电路在一个半导体晶片内积体化。图式简单说明:图1系表示高频切换电路之习知例1之电路图。图2系表示高频切换电路之习知例2之电路图。图3系表示本发明之高频切换电路之实施形态1之电路图。图4A至图4E各自系表示在实施形态1之高频切换电路之直流电位分离部之具体实例1至5之电路图。图5A及图5B各自系表示在实施形态1之高频切换电路之高频半导体开关部之具体实例之电路图。图6A及图6B各自系表示在实施形态1之高频切换电路之电位传达部之具体实例1及2之电路图。图7系表示本发明之高频切换电路之实施形态2之电路图。图8系表示本发明之高频切换电路之实施形态3之电路图。图9系表示本发明之高频切换电路之实施形态4之电路图。图10A至图10D各自系表示在实施形态4之高频切换电路之第一至第四为止之直流电位分离部之各自之第一例之电路图。图11A至图11D各自系表示在实施形态4之高频切换电路之第一至第四为止之直流电位分离部之各自之第二例之电路图。图12A至图12D各自系表示在实施形态二之高频切换电路之第一至第四为止之直流电位分离部之各自之第三例之电路图。图13A至图13D各自系表示在实施形态4之高频切换电路之第一至第四为止之直流电位分离部之各自之第四例之电路图。图14A至图14D各自系表示在实施形态4之高频切换电路之第一至第四为止之直流电位分离部之各自之第五例之电路图。图15系表示本发明之高频切换电路之实施形态5之电路图。图16系表示本发明之高频切换电路之实施形态6之电路图。图17系表示本发明之高频切换电路之实施形态7之电路图。图18系表示本发明之高频切换电路之实施形态8之电路图。 |
