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SE DESCRIBE UNA EEPROM CON MULTITUD DE POSICIONES DE MEMORIA DISPUESTAS EN UN CAMPO DE POSICIONES DE MEMORIA, QUE SE PUEDEN OPERAR PARA ESCRITURA, LECTURA Y BORRADO MEDIANTE HILOS DE PALABRA, BIT Y FUENTE (WL, BL, SL). LA EEPROM DESCRITA SE CARACTERIZA PORQUE LAS POSICIONES DE MEMORIA OPERABLES POR UN HILO DE PALABRA INDIVIDUAL (WL) SE DIVIDE EN NUMEROSOS GRUPOS, A CADA UNO DE LOS CUALES SE ASIGNA UN HILO DE FUENTE COMUN (SL). EL PROCEDIMIENTO PARA LA ACTIVACION DE LA EEPROM SE CARACTERIZA PORQUE SE REALIZA POR GRUPOS LA ESCRITURA, LECTURA O BORRADO DE LAS POSICIONES DE MEMORIA OPERABLES POR UN HILO DE PALABRA (WL) INDIVIDUAL.
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