| 摘要 |
<p>Mit integrierten Halbleiterschaltungen können VCO-Schaltungen (voltage controlled oscillator) gefertigt werden, die elektrische Schwingkreise enthalten, deren Schwingverhalten mithilfe eines Varaktors (2), d.h. eines Kondensators variabler Kapazität verändert werden kann. Integrierte Varaktoren (2) werden heute in MOSFET-Bauweise hergestellt, d.h. weisen eine Gate-Elektrode (3) und je eine Source- (6) und eine Drain-Implantation (7) auf, wobei letztere elektrisch kurzgeschlossen werden und gemeinsam mit dem Halbleitersubstrat unter der Gate-Elektrode (3) eine von zwei Kondensatorplatten bilden. Um das Kapazitätsverhältnis der maximalen Kapazität zur minimalen Kapazität eines solchen Varaktors (2) zu erhöhen, wird vorgeschlagen, die Source-/Drain-Implantationen (6, 7) in lateraler Richtung vollständig außerhalb der Grundfläche (8) des Schichtenstapels (5) der Gate-Elektrode (3) anzuordnen und das Halbleitersubstrat (1) unter der Gateoxidschicht (4) zwischen der Source-Implantation (6) und der Drain-Implantation (7) in lateraler Richtung homogen zu dotieren.</p> |
