| 摘要 |
<p> s wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleitertrager (1) vorgeschlagen, bei welchem fur die Ausbildung von frei tragenden Strukturen (3) fur ein Bauelementeine flächige poröse Membranschicht (3) und eine Kavität (2) unter der porösen Membranschicht (3) erzeugt wird. Die Erfindung hat die Aufgabe, eine Membranbeschädigung bei der Herstellung oder bei regelmässig auftrenden Anwendungsfällen zu vermeiden. Diese Aufgabe kann durch unterschiedliche Vorgehensweisen gelöst werden. Bei einer ersten Lösung erhält der Halbleiterträger (1) im Membranbereich im Vergleich zur Kavität eine unterschiedliche Dotierung, womit sich unterschiedliche Porengrössen und/oder Porositäten herstellen lassen, was bei der Kavitätserzeugung fur einen verbesserten Ätzgastransport genutzt werden kann. Die Aufgabe kann jedoch auch dadurch gelöst werden, dass im Membranbereich Mesoporen und im späteren Kavitätsbereich Nanporen als Hilfsstruktur erzeugt werden. Im Weiteren wird unter anderem ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das auf einem oder mehreren dieser Verfahren basiert.</p> |
