| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer Maske. Das Verfahren umfasst unter anderem den Schritt der Erzeugung von ersten Spacern (5a) zwischen zuvor erzeugten Maskierungsstrukturen (4a). Die Maskierungsstrukturen (4a) werden anschließend entfernt, während die ersten Spacer (5a) verbleiben. Die verbleibenden ersten Spacer (5a) dienen somit als Hartmaske (Hardmask) bei der Strukturierung darunter liegender Schichten (2, 3) bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Ein Vorteil dieses Verfahrens ist die Verringerung herstellbarer Strukturgrößen. In einer Ausführungsvariante des Verfahrens werden nach Entfernung der Maskierungsstrukturen (4a) zweite Spacer (6a) zwischen den ersten Spacern (5a) erzeugt. Dies erlaubt eine Herstellung insbesondere von kleinstmöglichen periodischen Strukturen.
|
