| 摘要 |
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren beziehungsweise eine integrierte Schaltung zur Erhöhung einer Spannung (Eingangsspannung Vext) vorgeschlagen, bei der eine zweistufige Ladungspumpe verwendet wird. Ladungspumpen mit Schaltern (N1, N2) und Kondensatoren (C1 bis C3) sind per se bekannt. Diese sind einstufig oder mehrstufig ausgebildet und erreichen je nach Auslegung der Schalter und Kondensatoren praktisch nur eine Verdoppelung der Eingangsspannung (Vext), wobei jede Stufe mit einer eigenen Ansteuerung versehen ist. Bei der erfindungsgemäßen zweistufigen Ladungspumpe wird dagegen in vorteilhafter Weise eine Verdreifachung der Eingangsspannung (Vext) erzielt. Als Schalter werden Feldeffekt-Transistoren vom N-Typ (NFET) verwendet, die in das Substrat einer integrierten Schaltung eingebracht sind. In weiterer Ausgestaltung ist auch vorgesehen, dass insbesondere ein zweiter Längstransistor (N4) an seinem Bulkanschluss und/oder an seinem Gate mittels eines Kondensators (C2) und eines Levelshifters (1, 2) angesteuert wird. Dadurch wird vorteilhaft vermieden, dass insbesondere die Weite des Weiteren Längstransistors (N4) vergrößert werden muss.
|
