Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterprodukts mit einem Speicher- und einem Logikbereich

摘要

Es wird ein Verfahren zur Integration von Feldeffekttransistoren für Speicher- und Logikanwendungen in einem Halbleitersubstrat 22 vorgeschlagen, bei dem zunächst das Gatedielektrikum 2 und eine Halbleiterschicht 4 sowohl im Logik- als auch im Speicherbereich 6 und 8 ganzflächig abgeschieden werden. Aus diesen Schichten werden zunächst die Gateelektroden 12 im Speicherbereich 8 gebildet, die Source- und Draingebiete 56 implantiert und der Speicherbereich 8 mit einem Isolationsmaterial 20 planarisierend bedeckt. Erst nachfolgend werden aus der Halbleiterschicht 4 und dem Gatedielektrikum 2 im Logikbereich die Gateelektroden 21 gebildet.