| 摘要 |
<p>Die obere Kondensatorelektrode (10) des Grabenkondensators ist durch einen rohrförmigen monokristallinen Si-Kontaktierungsbereich (7.1) mit einem epitaktisch aufgewachsenen Source-/Drain-Gebiet (21) des Auswahltransistors (20) verbunden. Die Gateelektrodenschicht (24) weist einen ovalen Umfangsverlauf um den Transistor (20) auf, wobei die ovalen Umfangsverläufe der Gateelektrodenschichten (24) von entlang einer Wortleitung aneinandergereihter Speicherzellen zur Steigerung der Packungsdichte Überlappungsbereiche (24.3) bilden.</p> |
