| 发明名称 | 降低多晶硅层洞缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种降低多晶硅层洞缺陷的方法，包括：首先，提供半导体底材，接着，形成多晶硅层在半导体底材上；然后，进行无气泡底部反反射层涂布程序，其中无气泡底部反反射层涂布是由去水烘烤，斥水性的溶剂处理，与稳定烘烤之一或其组合之一进行；最后，形成底部反反射层在多晶硅层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1399318A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN02126851.7 | 申请日期 | 2002.07.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许中荣;黄志贤 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/302;H01L21/312 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种降低多晶硅层洞缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：提供一半导体底材；形成一多晶硅层在该半导体底材上；去水烘烤该多晶硅层；及形成一底部反反射层在该多晶硅层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||